CMOS运放的设计和几何规划优化方法研究(4)

CMOS运放的设计和几何规划优化方法研究

§2.2 性能参数与约束条件的简略分析

（1）开环增益Av

如图2.2为两级放大器的差分输入级

图2.2 运放的差分输入级

第一级增益AV1= Gm1Ro1= gm1(ro2 ro4)，第二级为M6&M7组成的共源放大器，增益

A

V2

= Gm2Ro2= g

m6

(ro6

ro7)。

所以整个放大器的增益为： A

g

m2

V=

g

m6 o2+

o4 o6+o7

（2）频率特性与相位补偿

该电路共存在四个极点：

（1） 补偿电容引入的主极点：

ωo1

p1=

A

=g

o2

+g

o4

2

+1CC

'

A

2

+1CC

'

其中CC

'

=CC+Cgd6，因此由密勒效应形成的该极点是一个主极点。

（2） 输出极点

该极点由输出电容CL引起。忽略掉一些寄生电容，则

ω

≈gm6pout

C

，该极点是第二极点。

L