CMOS运放的设计和几何规划优化方法研究(19)
时间:2026-01-22
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CMOS运放的设计和几何规划优化方法研究
(10) 功耗:
V(2*I+I+I)≤P
DD
8
5
7
max
(11)增益:
A
V
g g
m2m6 =
+ +
o4 o6o7 o2
所以需要满足:
≥
A
Vmin
(12) 零极点补偿:
由补偿电容Cc引入的零点可由M14的作用搬到左半平面,并且正好搬到第一个非主极点处,消除了第一非主极点。可以由此确定M14管子的宽长比。
=1
(13) Slew Rate:
要求为C≤
5
+11
,CL≤
SRminSRmin7
(14) 等效输入噪声:
s
2
=n,in
α
f
+β≤Sn,max,其中
12
fp 1+α=
CoxW1L1
2K
KµLKL
fn
nfp
p
2
12
,
β 3
(15) CMRR:
CMRR=
g
2*g
O1
m1
g
+g
O3
*g
m6
m3
=
O5
≥CMRRmin
(16) NPSRR:
NPSRR=
gg
g+g*g
m1
O2
O4
=
O6
NPSRR
min
(17)
相位裕度:
第一非主极点被M14补偿掉,所以镜像极点、寄生极点成为影响相位裕度的主要
极点。采用近似arctanx≈x,(x<250),有
360
min
×2π≥ u + u
p3 p4
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