CMOS运放的设计和几何规划优化方法研究(18)

CMOS运放的设计和几何规划优化方法研究

（2） 电流镜要求：

L=L=L

5

7

8

（3） 电流源要求：

4*WL

12

1313

=1

12

R

B

=1

（4） 尺寸限制：

1000≥WN≥1(N=1,2...14)

20≥LN≥0.8(N=1,2...14)（5） 面积限制：

100+1000CC+8∑W

I=114

I

L

I

≤Amax

（6） 系统失调要求：

2*3675

LWWL

3

6

5

=1

7

（7） 各个支路电流：

以M8管的电流为设计变量，其余所有支路的电流都用I8，以及各个管的宽、长变量的表达式来表示。 （8） 偏置条件：

所有管子都必须处于饱和区：

（输入共模电压固定在2.5v，输出范围为0.5v~4.5v。）

对M1

≤1

对M2：因为对称，所以只要M1满足条件，则M2也自然满足饱和的条件。 M3，M4自动满足饱和条件。

1M5

：*1.6≤1 M6

：21

M7

：21

其余管子（除M14）均处于饱和区。

（9） 过驱动条件：

为保证所有处于饱和区的管子远离亚阈值区，设定满足的过驱动电压为130mv。故对所有的管子都至少需要满足：

≥0.13