BGA、TAB、零件、封装及Bonding制程(8)

BGA、TAB、零件、封装及Bonding制程

56、Separable Component Part可分离式零件

指在主要机体上的零件或附件，其等与主体之间没有化学结合力存在，且亦未另加保护皮膜、焊接或密封材料(Potting Compound)等补强措施；使得随时可以拆离，称为"可分离式零件"。

57、Silicon硅

是一种黑色晶体状的非金属原素，原子序14，原子量28，约占地表物质总重量比的25％，其氧化物之二氧化硅即砂土主要成份。纯硅之商业化制程，系将 SiO2 经由复杂程序的多次还原反应，而得到99.97％的纯硅晶体，切成薄片后可用于半导体"晶圆"的制造，是近代电子工业中最重要的材料。

58、Single-In-line Package(SIP)单边插脚封装体

是一种只有一直排针柱状插脚，或金属线式插脚的零件封装体，谓之SIP

59、Solder Bump焊锡凸块

芯片(Chip)可直接在电路板面上进行反扣焊接(Filp Chip on Board)，以完成芯片与电路板的组装互连。这种反扣式的COB覆晶法，可以省掉芯片许多先行封装 (Package) 的制程及成本。但其与板面之各接点，除PCB需先备妥对应之焊接基地外，芯片本身之外围各对应点，也须先做上各种圆形或方形的微型"焊锡凸块"，当其凸块只安置在"芯片"四周外围时称为FCOB，若芯片全表面各处都有凸块皆布时，则其覆晶反扣焊法特称为"Controlled Collapsed Chip Connection"简称C4法。

60、Solder Colum Package锡柱脚封装法

是IBM公司所开发的制程。系陶瓷封装体 C-BGA以其高柱型锡脚在电路板上进行焊接组装之方法。此种焊锡柱脚之锡铅比为90／10，高度约150mil，可在柱基加印锡膏完成熔焊。此锡柱居于PCB与 C-BGA之间，有分散应力及散热的功效，对大型陶瓷零件 (边长达35mm～64mm)十分有利。

61、Spinning Coating自转涂布

半导体晶圆(Wafer)面上光阻剂之涂布，多采自转式涂布法。系将晶圆装设在自转盘上，以感光乳胶液小心浇在圆面中心，然后利用离心力 (Centrifugal Force)与附着力两者较劲后的平衡，而在圆面上留下一层均匀光阻皮膜的涂布法称之。此法亦可用于其它场合的涂布施工。

62、Tape Automated Bonding (TAB)卷带自动结合

是一种将多接脚大规模集成电路器(IC)的芯片(Chip)，不再先进行传统封装成为完整的个体，而改用TAB载体，直接将未封芯片黏装在板面上。即采"聚亚醯胺"(Polyimide)之软质卷带，及所附铜箔蚀成的内外引脚当成载体，让大型芯片先结合在"内引脚"上。经自动测试后再以"外引脚"对电路板面进行结合而完成组装。这种将封装及组装合而为一的新式构装法，即称为TAB法。此 TAB 法不但可节省 IC 事前封装的成本，且对 300 脚以上的多脚VLSI，在其采行 SMT 组装而困难重重之际，TAB将是多脚大零件组装的新希望(详见电路板信息杂志第66期之专文)。

63、Thermocompression Bonding热压结合

是 IC的一种封装方法，即将很细的金线或铝线，以加温加压的方式将其等两线端分别结合在芯片(芯片)的各电极点与脚架(Lead Frame)各对应的内脚上，完成其功能的结合，称为"热压结合"，简称T.C.Bond。

64、Thermosonic Bonding热超音波结合

指集成电路器中，其芯片与引脚间"打线结合"的一种方法。即利用加热与超音波两种能量合并进行，谓之 Thermosonic Bonding，简称 TS Bond。