BGA、TAB、零件、封装及Bonding制程(2)

BGA、TAB、零件、封装及Bonding制程

在电路板上，这种做为芯片载体的梁式平行密集排列引脚，称为 Beam Lead。

8、Bonding Wire 结合线

指从 IC 内藏的芯片与引脚整间完成电性结合的金属细线而言，常用者有金线及铝线，直径在 1-2mil之间。

9、Bump 突块

指各种突起的小块，如杜邦公司一种 SSD 制程(Selective Solder Deposit)中的各种 Solder Bump 法，即"突块"的一种用途(详见电路板信息杂志第 48 期P.72)。又，TAB 之组装制程中，芯片(Chip)上线路面的四周外围，亦做有许多小型的焊锡或黄金"突块"(面积约 1μ2 )，可用以反扣覆接在 TAB 的对应内脚上，以完成"晶粒"(Chip)与"载板"(PCB)各焊垫的互连。此"突块"之角色至为重要，此制程目前国内尚未推广。

10、Bumping Process凸块制程

指在线路完工的晶圆表面，再制做上微小的焊锡凸块(或黄金凸块)，以方便下游进行 TAB与Flip Chip等封装与组装制程。这种尺寸在1mm左右的微小凸块，其制作技术非常困难，国内至今尚未投入生产。

11、C4 Chip Joint，C4芯片焊接

利用锡铅之共融合金(63/37) 做成可高温软塌的凸球，并定构于芯片背面或线路正面，对下游电路板进行"直接安装"(DCA)，谓之芯片焊接。C4为IBM公司二十多年前所开故的制程，原指"对芯片进行可控制软塌的芯片焊接"(Controlled Collapsed Chip Connection)，现又广用于 P-BGA对主机板上的组装焊接，是芯片连接以外的另一领域塌焊法。

12、Capacitance 电容

当两导体间有电位差存在时，其介质之中会集蓄电能量，些时将会有"电容"出现。其数学表达方式C＝Q／V，即电容(法拉)＝电量(库伦)／电压(伏特)。若两导体为平行之平板(面积 A)，而相距 d，且该物质之介质常数(Dielectric Constant)为ε时，则C＝εA／d。故知当A、d不变时，介质常数愈低，则其间所出现的电容也将愈小。

13、Castallation堡型集成电路器

是一种无引脚大型芯片(VLSI)的瓷质封装体，可利用其各垛口中的金属垫与对应板面上的焊垫进行焊接。此种堡型 IC 较少用于一般性商用电子产品，只有在大型计算机或军用产品上才有用途。

14、Chip Interconnection芯片互连

指半导体集成电路(IC)内心脏部份之芯片(Chip)，在进行封装成为完整零件前之互连作业。传统芯片互连法，是在其各电极点与引脚之间采打线方式 (Wire Bonding) 进行；后有"卷带自动结合"(TAB)法；以及最先进困难的"覆晶法" (Flip Chip)。后者是近乎裸晶大小的封装法(CSP)，精密度非常高。

15、Chip on Board 芯片黏着板

是将集成电路之芯片，以含银的环氧树脂胶，直接贴合黏着在电路板上，并经由引脚之"打线"(Wire Bonding)后，再加以适当抗垂流性的环氧树脂或硅烷(Silicone)树脂，将 COB 区予以密封，如此可省掉集成电路的封装成本。一些消费级的电子表笔或电子表，以及各种定时器等，皆可利用此方式制造。该次微米级的超细线路是来自铝膜真空蒸着(Vacuum Deposit)，精密光阻，及精密电浆蚀刻(Plasma Etching)法所制得的晶圆。再将晶圆切割而得单独芯片后，并续使晶粒在定架中心完成焊装(Die Bond)后，再经接脚打线、封装、弯脚成型即可得到常见的 IC。其中四面接脚的大型 IC(VLSI)又称"Chip Carrier芯片载体"，而新式的