BGA、TAB、零件、封装及Bonding制程(11)

BGA、TAB、零件、封装及Bonding制程

法不但能自动化且连打线 (Wire Bond) 也省掉，而其品质与可靠度也都比早期的COB要更好。

83、CSP Chip Scale Package

晶粒级封装

84、DIP Dual Inline Package

双排脚封装体 (多指早期插孔组装的集成电路器)

85、FET Field-Effect Tranistor

场效晶体管利用输入电压所形成的电场，可对输出电流加以控制，一种半导体组件，能执行放大、振荡及开关等功能。一般分为"接面闸型"场效晶体管，与"金属氧化物半导体"场效晶体管等两类

86、GaAs Gallium Arsenide (Semiconductor )

砷化半导体是由砷(As)与 (Ga)所化合而成的半导体，其能隙宽度为1.4电子伏特，可用在晶体管之组件，其温度上限可达400℃。通常在砷化 半导体中其电子的移动速度，要比硅半导体中快六倍。GaAs将可发展成高频高速用的"集成电路"，对超高速计算机及微波通信之用途将有很好的远景。

87、HIC Hybrid Integrated Circuit

混合集成电路将电阻、电容与配线采厚膜糊印在瓷板上，另将二极管与晶体管以硅片为材料，再结合于瓷板上，如此混合组成的组件称为HIC。

88、IC Integrated Circuit

集成电路器是将许多主动组件 (晶体管、二极管)和被动组件 (电阻、电容、配线)等互连成为列阵，而生长在一片半导体基片上 (如硅或砷化 等)，是一种微型组件的集合体，可执行完整的电子电路功能。亦称为单石电路 (Monolihic Circuits)。

89、ILB Inner Lead Bonding

内引脚结合是指将TAB的内引脚与芯片上的突块 (Bump ; 镀锡铅或镀金者)，或内引脚上的突块与芯片所进行反扣结合的制程。

90、KGD Known Good Die

确知良好芯片

91、LCC Leadless Chip Carrier

无脚芯片载体(是大型IC的一种)

92、LCCC Leadless Ceramic Chip Carrier

瓷质无脚芯片载(大型IC的一种)

93、LGA Land Grid Array

焊垫格点排列指矩阵式排列之引脚焊垫，如BGA"球脚数组封装体"，或CGA"柱脚数组封装体"等皆属之。

94、LSI Large Scale Integration