BGA、TAB、零件、封装及Bonding制程(9)

BGA、TAB、零件、封装及Bonding制程

65、Thin Small Outline Packange(TSOP) 薄小型集成电路器

小型两侧外伸鸥翼脚之"IC"(SOIC)，其脚数的约 20～48脚，含脚在内之宽度6～12mm，脚距0.5mil。若用于 PCMCIA或其它手执型电子产品时，则还要进一步将厚度减薄一半，称为TSOP。此种又薄又小的双排脚IC可分为两型； TypeⅠ 是从两短边向外伸脚，TypeⅡ是从两长边向外伸脚。

66、Three-Layer Carrier三层式载体

这是指"卷带自动结合"(TAB) 式"芯片载体"的基材结构情形，由薄片状之树脂层(通常用聚亚醯胺之薄膜)、铜箔，及居于其间的接着剂层等三层所共同组成，故称为 Three-Layer Carrier。相对有"两层式载体"，即除掉中间接着剂层的TAB产品。

67、Transfer Bump移用式突块，转移式突块

卷带自动结合式的芯片载体，其内引脚与芯片之结合，必须要在芯片各定点处，先做上所需的焊锡突块或黄金的突块，当成结合点与导电点。其做法之一就是在其它载体上先备妥突块，于进行芯片结合前再将突块转移到各内脚上，以便继续与芯片完成结合。这种先做好的突块即称为"移用式突块"。

68、Transistor晶体管

是一种半导体式的动态零件(Active Components)，具有三个以上的电极，能执行整流及放大的功能。其中芯片之原物料主要是用到锗及硅元素，并刻意加入少许杂质，以形成负型(n Type)及正型(p Type)等不同的简单半导体，称之为"晶体管"。此种 Transistor有引脚插装或SMT黏装等方式。

69、Ultrasonic Bonding超音波结合

是利用超音波频率(约10 KHz)振荡的能量，及机械压力的双重作用下，可将金线或铝线，在IC半导体芯片上完成打线的操作。

70、Two Layer Carrier两层式载体

这也是"卷带式芯片载体"的一种新材料，与业界一向所使用的三层式载体不同。其最大的区别就是取消了中间的接着剂层，只剩下"Polyimide"的树脂层及铜箔层等两层直接密贴，不但在厚度上变薄及更具柔软性外，其它性能也多有改进，只是目前尚未达到量产化的地步。

71、Very Large-Scale Integration(VLSI)极大规模集成电路器

凡在单一晶粒(Die)上所容纳的半导体(Transistor)其数量在 8 万个以上，且其间互联机路的宽度在1.5μ(60μin)以下，而将此种极大容量的晶粒封装成为四面多接脚的方型 IC 者，称为 VLSI 。按其接脚方式的不同，此等 VLSI有J型脚、鸥翼脚、扁平长脚、堡型垫脚，等多种封装方式。目前容量更大接脚更多(如250脚以上)的 IC ，由于在电路上的 SMT 安装日渐困难，于是又改将裸体晶粒先装在 TAB 载架的内脚上，再转装于 PCB 上；以及直接将晶粒反扣覆装，或正贴焊装在板面上，不过目前皆尚未在一般电子性工业量产中流行。

72、Wafer晶圆

是半导体组件"晶粒"或"芯片"的基材，从拉伸长出的高纯度硅元素晶柱 (Crystal Ingot)上，所切下之圆形薄片称为"晶圆"。之后采用精密"光罩"经感光制程得到所需的"光阻"，再对硅材进行精密的蚀刻凹槽，及续以金属之真空蒸着制程，而在各自独立的"晶粒或芯片"(Die，Chip)上完成其各种微型组件及微细线路。至于晶圆背面则还需另行蒸着上黄金层，以做为晶粒固着(Die Attach) 于脚架上的用途。以上流程称为Wafer Fabrication。早期在小集成电路时代，每一个6吋的晶圆上制作数以千计的晶粒，现在次微米线宽的大型V