半导体发光二极管基本知识和工艺简介(修正稿(6)
时间:2025-03-14
时间:2025-03-14
一个点光源所发出的光强是各向相同的,则总光通量
F = 4πI (13)
就是说,一个光源的发光强度I确定后,它的总光输出也就完全确定了,其它的光学结构(如反射腔等)不能使它增大,而只是可以将光从其它方向往某一方向集中,以提高该方向的光强。在芯片法向上的发光强度称为法向光强。
发光强度的单位是坎德拉(cd), 一单位立体角内发出一流明的光称为一坎德拉。坎德拉是一个光源在给定方向上的发光强度。
(3)半值角
在发光强度分布图形中,发光强度等于最大强度一半构成的角度称为半值角。如图<5>所示。图中,沿LED法向为机械轴方向,最大发光强度方向为光轴方向,机械轴与光轴之间的夹角成为偏差角。
芯片的厚度、封装模条的外形尺寸、 支架反射杯的深度以及支架在模腔中的 插入深度都对半值角的大小有直接影响。 制造中,可以根据客户要求,通过选取 不同的材料及选用不同的封装尺寸来得
到不同大小的半值角。 图<5> LED光强分布图
(4)亮度
亮度B
等于:
Bθ=
其中dF为立体角d亮度单位cd/m
(5)照度 照度E表示被照明物体的单位面积所接受的总光通量,即:
dF
E = (15)
dσ
2