半导体发光二极管基本知识和工艺简介(修正稿(3)

时间:2025-03-14

2.2 光度学及光度学参数 2.2.1 能量的辐射分布

光源的总辐射能量是各种波长能量之和,波长不同能量也不同。我们称发光器件的辐射能量随波长而变化的情况为发光器件辐射能量的光谱分布,以Pλ表示。发光器件在λ1和λ2范围内的辐射功率可表示为:

λ2

Pλ1Pλ2 = ∫ Pλdλ (1 )

λ1

Pλ是一个相对的分布函数。光谱分布的两个主要参数是它的峰值波长和光谱带宽。

(1) 峰值波长λp

峰值波长λp是指光谱强度最大处的波长, 它可以由光谱图很容易地确定。图<3>是CaN绿色LED的光谱曲线, 由曲线可见, 其峰值波长是505 nm。

(2) 半波宽度Δλ0.5

半波宽度Δλ0.5由λp两边的两个波长

”0. 5 求得: ’ 0. 5 -Δλλ

”Δλ0. 5 =λ’0. 5 -λ0. 5 (2)

图<3> CaN绿色LED的光谱曲线

2.2.2 辐射度量及单位

辐射度学是有关某一给定辐射体的光辐射能量或功率的, 光谱涉及从紫外光到红外光的整个范围, 与人眼对亮度和颜色的灵敏度无关。

半导体发光二极管基本知识和工艺简介(修正稿(3).doc 将本文的Word文档下载到电脑

精彩图片

热门精选

大家正在看

× 游客快捷下载通道(下载后可以自由复制和排版)

限时特价:7 元/份 原价:20元

支付方式:

开通VIP包月会员 特价:29元/月

注:下载文档有可能“只有目录或者内容不全”等情况,请下载之前注意辨别,如果您已付费且无法下载或内容有问题,请联系我们协助你处理。
微信:fanwen365 QQ:370150219