半导体发光二极管基本知识和工艺简介(修正稿(4)

时间:2025-03-14

基本的辐射度参数有4个: (1)辐射通量或辐射功率

辐射功率P定义为一个光源在单位时间内发射的总功率:

P = (3) 辐射功率的单位为瓦特(W)。 (2) 辐射强度

辐射强度J定义为单位时间、单位立体角内发射的功率:

dP

J = (4) dω

J的单位是:瓦/球面度 (W/Sr)

这里的立体角就是以点光源为顶点的一个封闭锥体的锥角,其大小等于锥体底面积A与锥体的斜边边长r的平方成之比,即:

dω 2 (5) r

(3) 辐射照度

落在单位面积上通量的数值,称为辐射照度H。

dP ( 6 )

dp 是落在元表面上的通量值。辐射照度H用瓦/平方米(W/m2)作单位。 由以上公式可推得某一点光源的辐射强度J和辐射照度之间的关系:

dP

H = dσ = = J/r2 (7)

(4) 辐射亮度

考虑辐射源上表面dσ,以此为顶点的立体角内dω内的辐射通量为dp,dω的轴线v与dA的法线n成θ角,如图(4)所示。

dp与dω及dσ在v方向的有效截面积dσcosθ 有关,即:

dp = Rθdσcosθdω (8) 或:

dp

Rθ= (9)

dσcosθ dω

图<4>

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