方向图测量

D2 D F′A= e+f 16f + 2 （3﹒40）

将式（3﹒39）和（3﹒40）代入式（3﹒38）得 22

f2

e=R R D 4f R f + 2 （3﹒41）

f2

<<1时，上式写为 当R

2f2 f D e= 1++ （3﹒42） R R 4f

若将各参量均用焦距f归一化，即令 e′=DRe,R′=,D′=， （3﹒43） fff

2则可将式（3﹒43）代入（3﹒42）得 （3﹒44）

这就是聚焦技术偏焦值与天线各参数之间的关系。可以看出，当R′减小或D′增大时，

，归一化偏焦值趋于零。 归一化偏焦值也增加。当R′增加到无穷大时（即聚焦于无穷远处）

式（3﹒44）的偏焦值是在理想情况下推得的。实际上，由于抛物面制造公差，馈源孔径挡、馈源方向图形状及聚焦距离长短等种种因素的影响，应对理想偏焦值给予一定的修正，即

e′′=ke′ （3﹒45）

式中，e′′ 是修正后的偏焦值，k是修正因子。计算表明，k值一般在0﹒9到0﹒95之间。

对于D′值小于2﹒86的天线来说，r值一般可取到D聚焦距离R的选取原则是：

如果只需测量方向图的主瓣特性，则距离R可取D221 1 D′ ′ e= 1++ R′ R′ 4 λ。4λ~D2λ。D′值较大的天线，距离R也应取大些。

三、解析技术

解析技术是由近场测试数据解析计算远场方向图的技术。具体程序是：首先，测取待测天线表面上的电流密度和电荷分布，或者测取天线孔径上的电磁场分布，或者在近场区内离开待测天线适当而方便的任意距离上测取电磁场分布；然后，将近场测取得到的数据进行数学转换，推算出远场方向图。推算的基本方法有三种：波动光学法，电流分布法和模式展开法。前两种方法从一般天线书籍中不难找到，这里我们着重介绍第三种方法。

1. 波动光学法

波动光学法是首先测得天线孔径面上的电磁场分布，然后利用蕙更斯—累涅尔原理求解辐射场，即离开天线孔径距离为R处P点的场，它可用下式计算