集成电路——译码器设计与分析(7)

3、译码器的与非门结构

①常规与非门堆叠

在传统的 NAND 门中，n沟道（n-FET）和 p 沟道（p-FET）具有相同的尺寸。两个 n 场效应晶体管以串联堆栈形式连接。为了获得与反相器相同的驱动能力，n-FET 的尺寸是反相器的两倍。在基于传统门的译码器中，当一个地址输入时，输出基于输入地址作出反应被置位。对于下一个地址输入，先前的输出必须先解除置位并复位，然后新的译码器输出才能置位。此操作会降低速度。上述问题可以通过对传统 NAND 门使用脉冲输入来克服，以便输出在最短时间内保持有效并关闭。

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