半导体物理学讲义转(7)

A.杂质能级深；

B.主要以替位式存在；

C.杂质在禁带中引入多个能级；

D.有的属于两性杂质。如替代同一原子，则施主总在受主下方；

E.深能级杂质的行为与杂质的电子层结构、原子大小、杂质在晶格中的位置等有关。深能级杂质一般含量极少，对半导体的载流子浓度、能带和导电类型影响不及浅能级杂质显著，但对载流子的复合作用较强，常称这类杂质为复合中心。制造高速开关器件时，有意掺入金以提高器件速度

下电子和空穴浓度的表达式，进而给出平衡状态下载流子浓度的乘积。

在3.3节，推导本征半导体的载流子浓度的表达式，讨论其变化规律。

在3.4节，讨论在不同温度下杂质半导体的载流子浓度和费米能级的表达式，讨论其变化规律。

第一节状态密度

本节要点：

状态密度的概念及计算