半导体物理学讲义转(21)

p(x) p(0)(1

x)W

(5-21)

扩散流密度

Sp(x) p 0

DpW

(5-22)

5.7载流子的漂移运动爱因斯坦关系式

d n

|E| qDndx

1、光均匀照射在6的n型Si样品上，电子-空穴对的产生率为4×1021cm-3s-1，

样品寿命为8µs。试计算光照前后样品的电导率。解：光照前

11 0 1.167 1 cm 1 06

光照后Δp=Gτ=（4×1021）（8×10-6）=3.2×1017cm-3