半导体物理学讲义转(5)

第六节硅和锗的能带结构

本节要点：

1.硅和锗的导带结构2.硅和锗的价带结构

1.硅和锗的导带结构

硅的导带底附近等能面为沿<100>方向的6个旋转椭球面（左图）；锗的导带底附近等能面为沿<111>方向的8个旋转椭球面（右图）。所以沿椭球面两短轴的有效质量相等，分在2.1节，介绍硅、锗中的浅能级和深能级杂质以及和杂质能级，浅能级杂质电离能的计算，介绍了杂质补偿作用。

在2.2节，介绍III-V族化合物中的杂质能级，引入等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质的概念

第一节硅、锗晶体中的杂质能级

本节要点

1.浅能级杂质能级和杂质电离；