半导体物理学讲义转(15)

由于任何时候都有几种散射机构存在，则总的散射几率为：

P=P +P +P

对Si,Ge半导体，主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射，迁移率：

μ

对高纯样品或杂质浓度较低的样品，晶格散射其主要作用，μ随温度增加而降低。

q1

m*AT3/2 BNi/T3/2

f-f0k kf -

(4-19)

它表示撤销外场，由于散射作用，可以使分布函数逐渐恢复平衡值。从非平衡态逐渐恢复到平衡态的过程称为驰豫过程， 为驰豫时间。

4.6强电场下的效应热载流子

本节要点