半导体物理学讲义转(16)

1．热载流子的概念；2．迁移率与温度关系。

在强电场作用下欧姆定律发生偏离，迁移率随电场增加而下降，速度随电场增加的速率开始减慢，最后达到饱和漂移速度。

在强电场下，载流子获得的能量比其传给晶格的更多，载流子平均能量比热平衡状态时大，因而载流子与晶格系统不再处于热平衡状态，人们便引进载流子有效温度Te来描述与

习题选：

1、对于中等掺杂半导体，为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同？试加以定性分析。解：Si的电阻率与温度的变化关系可以分为三个阶段：

（1）温度很低时，电阻率随温度升高而降低。因为这时本征激发极弱，可以忽略；载流子主要来源于杂质电离，随着温度升高，载流子浓度逐步增加，相应地电离杂质散射也随之增加，从而使得迁移率随温度升高而增大，导致电阻率随温度升高而降低。