半导体物理学讲义转(11)

温度升高，当时,1/3杂质电离c.强电离区：

2Nc ND

后，EF降至之下;

当温度升高到 Ec ED /2，EF ED

n温度升高到大部分杂质都电离，D ND,可得

EF Ec k0Tln(ND/Nc)

(3-13)

D，这时载流子与温度无关，载流子浓度保持等于杂质浓度的

杂质全电离时，0

n N

EF Ev k0Tln(NA/Nv)p0 NA

C.过渡区

pA D NA

其中D (2NANv)exp( EAk0T)EF Ei k0Tsh 1(NA/2ni)