(2007)基于ColdFire的评估系统的设计与实现(18)

基于ColdFire的评估系统的设计与实现

基于ColdFire的评估系统的设计与实现 第二章 评估板硬件设计

表2-3 NOR型和NAND型Flash性能比较 项目

程序运行方式

容量

同容量价格

编程单位

接口

使用复杂性 小 高 Byte SRAM接口，足够的地址引脚 有地址线，可以像其他存储器一样使用，

直接，简单 NOR型 直接在Flash上运行 大 低 Block(512Byte) 复杂的I/O口串行存取数据 须先写入驱动程序，写入信息技巧性极强，须有虚拟映射 NAND型 需MTD支持，在RAM中运行

由表2-3中NOR型和NAND型Flash的性能比较可知，NOR型Flash存储器主要用来存储代码，如系统代码空间的扩展。NAND型Flash则适合于大量数据存储，如MP3文件管理等[10]。

本设计采用16M位的NOR型Flash存储器扩展方案。硬件板采用AMD公司生产的AM29LV160DB，它的容量达2Mbyte。AM29LV160DB有如下特性[11]：

- 3.3V单一供电，编程、擦除电压只需要3V；

- 0.23微米芯片制造技术；

- 8个8Kbyte的可引导块、127个32Kbyte的普通块；

- 10万次可重复擦写；

- 125摄氏度下数据仍可保存20年；

- CFI兼容(Common flash Memory Interface)。

(2) SDRAM

与Flash存储器相比较，SDRAM不具有掉电保持数据的特性，但其存取速度大大高于Flash存储器，且具有读/写的属性。SDRAM在系统中主要用作程序的运行空间、数据及堆栈区。具有操作系统的系统在启动时，CPU首先读取启动代码，在完成系统初始化后，程序代码一般应调入SDRAM中运行，以提高系统的运行速度。同时系统及用户堆栈、运行数据也都在SDRAM中。

评估板采用了Hynix公司的HY57V641620HG[12]，该芯片存储空间达8Mbyte，非常适用于需要高速大容量存储器的应用。它有如下一些特性：

- JEDC标准3.3V单一电源供电；

- 内部分为4块，每块容量1,048,576*16位(16M位)；

- 自动刷新和自刷新，刷新速度达4096周期/64ms；