模拟电子技术基础简明教程 高等教育出版社 杨素行主编

解：

（a）N沟道增强型绝缘栅场效应管。

（b）P沟道耗尽型结型场效应管。

（c）N沟道耗尽型绝缘栅场效应管。

（d）P沟道增强型绝缘栅场效应管。

本题的意图是根据转移特性识别场效应管的类型，并从转移特性上指认IDSS和UGS(th)或UGS(off)。

◇ 习题 1-18 已知一个N沟道增强型MOS场效应管的开启电压UGS(th)＝+3V，IDO=4mA,请示意画出其转移特性曲线。

◇ 习题 1-19 已知一个P沟道耗尽型MOS场效应管的饱和漏极电流IDSS＝－2.5mA,夹断电压UGS(off)=4V，请示意画出其转移特性曲线。

解：

此二题的意图是根据给定的UGS(th)和IDO或UGS(off)和IDSS，示意画出场效应管的转移特性。