模拟电子技术基础简明教程 高等教育出版社 杨素行主编

◇ 习题 1-15 分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图P1-15(a)和 (b)所示，试识别它们的管脚，分别标上e、b、c，并判断这两个三极管是NPN型，还是PNP型，硅管还是锗管。

解：

（a）1－发射极e，3－基极b，2－集电极c，NPN型锗管；

（b）2－发射极e，3－基极b，1－集电极c，PNP型硅管。

本题的意图是训练根据放大电路中的三极管的各极电位识别引脚，并判断三极管的类型。 注意：本题的前提是两个三极管均工作在放大区。

模拟电子技术基础简明教程 高等教育出版社 杨素行主编

习题 1-16 已知一个N沟道增强型MOS场效应的漏极特性曲线如图P1-16所示，试作出UDS=15V时的转移特性曲线，并由特性曲线求出该场效应管的开启电压UGS(th)和IDO值，以及当UDS=15V，UGS=4V时的跨导gm。

解：

作图过程如下图所示。

由图可得 UGS(th) 1.9V,

gm IDO 2.2mA iD4 1.2 mS 2.8mS uGS4.5 3.5

本题的意图是加强对场效应管的输出特性曲线和转移特性曲线的理解，并训练在场效应管的输出特性曲线上用作图法画转移特性，并求UGS(th)、IDO和gm的值。

◇ 习题 1-17 试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型(结型或绝缘栅型，P型沟道或N型沟道，增强型或耗尽型)。如为耗尽型，在特性上标注出其夹断电压UGS(off)和饱和漏极电流IDSS；如为增强型，标出其开启电压UGS(th)。