CMOS制作基本工艺(7)

CMOS制作的基本工艺的详细介绍,让刚入门的你对CMOS乃至集成电路的制作有一个系统的认识。

（2）N-LDD注入

在未被光刻胶保护的区域进入砷离子注入，形成低能量浅结（砷的分子量大有利于硅表面非晶化，在注入中能够得到更均匀的掺杂深度）

P-轻掺杂漏注入（pLDDG）

（1）P-LDD光刻

刻印硅片，得到P-区注入的光刻胶图形，其它所有的区域被光刻胶保护

（2）P-LDD注入

采用更易于硅表面非晶化的氟化硼进入注入，形成的也是低能量的浅结

CMOS制作步骤（五）：侧墙的形成

2011-8-5工艺流程

为了防止大剂量的源漏注入过于接近沟道从而导致沟道过短甚至源漏连通，在CMOS的LDD注入之后要在多晶硅栅的两侧形成侧墙。侧墙的形成主要有两步：1. 在薄膜区利用化学气相淀积设备淀积一层二氧化硅。2. 然后利用干法刻蚀工艺刻掉这层二氧化硅。由于所用的各向异性，刻蚀工具使用离子溅射掉了绝大部分的二氧化硅，当多晶硅露出来之后即可停止反刻，但这时并不是所有的二氧化硅都除去了，多晶硅的侧墙上保留了一部分二氧化硅。这一步是不需要掩膜的。