CMOS制作基本工艺(14)

CMOS制作的基本工艺的详细介绍,让刚入门的你对CMOS乃至集成电路的制作有一个系统的认识。

（1） 金属钛阻挡层淀积（PVD）

与其它金属工艺一样，钛是淀积于整个硅片上的第一层金属。它提供了Plug和下一层Metal之间的良好键合。同样它与ILD材料的结合也非常紧密，提高了金属叠加结构的稳定性

（2） 淀积铝铜合金（PVD）

在薄膜区利用PVD设备将铝铜合金溅射在有钛覆盖的硅片上。铝中加入1%的铜提高了铝的稳定性

（3） 淀积氮化钛（PVD）

在铝铜合金层上淀积一薄层氮化钛充当下一次光刻中的抗反射层

（4） 第十一层掩膜，金属刻蚀

先用光刻胶刻印硅片，然后用等离子体刻蚀机刻蚀sandwich结构