CMOS制作基本工艺(13)

CMOS制作的基本工艺的详细介绍,让刚入门的你对CMOS乃至集成电路的制作有一个系统的认识。

Plug-1形成的主要步骤

（1） 金属淀积Ti阻挡层（PVD）

在薄膜区利用PVD设备在整个硅片表面淀积一薄层Ti。Ti衬垫于能孔的底部及侧壁上。Ti充当了将钨限制在通孔当中的粘合剂

（2） 淀积氮化钛（CVD)

在Ti的上表面淀积一薄层氮化钛。在下一步沉积中，氮化钛充当了钨的扩散阻挡层

（3） 淀积钨（CVD）

用另一台CVD设备在硅片上淀积钨。钨填满小的开口形成plug

（4） 磨抛钨

磨抛被钨涂覆的硅片直到第一层ILD的上表面

第一层金属互连的形成