CMOS制作基本工艺(6)

CMOS制作的基本工艺的详细介绍,让刚入门的你对CMOS乃至集成电路的制作有一个系统的认识。

多晶硅栅结构制作基本步骤一：栅氧化层的生长。清洗掉硅片曝露在空气中沾染的杂质和形成的氧化层。进入氧化炉生长一薄层二氧化硅。

多晶硅栅结构制作基本步骤二：多晶硅淀积。硅片转入通有硅烷的低压化学气相淀积设备，硅烷分解从而在硅片表面淀积一层多晶硅，之后可以对poly进行掺杂。

多晶硅栅结构制作基本步骤三：多晶硅光刻。 在光刻区利用深紫外线光刻技术刻印多晶硅结构。

多晶硅栅结构制作基本步骤四：多晶硅刻蚀。利用异向等离子体记刻蚀机对淀积的多晶硅进行刻蚀，得到垂直剖面的多晶硅栅。

CMOS制作步骤（四）：轻掺杂漏(LDD)注入工艺 2011-8-4工艺流程LDD、轻掺杂漏

随着栅的宽度不断减小，栅结构下的沟道长度也不断的减小， 为了有效的防止短沟道效应，在集成电路制造工艺中引入了轻掺杂漏工艺（LDD），当然这一步的作用不止于此，大质量材料和表面非晶态的结合形成的浅结有助于减少源漏间的沟道漏电流效应。同时LDD也是集成电路制造基本步骤的第四步。

N-轻掺杂漏注入(nLDD)

（1）N-LDD光刻

刻印硅片，得到N-区注入的光刻胶图形，其它所有的区域被光刻胶保护