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CMOS制作基本工艺(4)

时间：2025-07-15

CMOS制作的基本工艺的详细介绍,让刚入门的你对CMOS乃至集成电路的制作有一个系统的认识。

氧化物填充

（1）沟槽衬垫氧化硅

硅片再次清洗和去氧化物等清洗工艺后，高温下在曝露的隔离槽侧壁上生长150埃的氧化层，用以阻止氧分子向有源区扩散。同时垫氧层也改善硅与沟槽填充氧化物之间的界面特性

（2）沟槽CVD氧化物填充

氧化物平坦化

（1）化学机械抛光

（2）氮化物去除

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