面向高性能计算机超结点的关键微纳光电子器件(5)

作用机理，探索提高探测器吸收区内局部电场强度，实现低偏压下雪崩倍增效应 的方法。

③研究等离激元局域场作用下高密度光子的非线性饱和吸收机理，以及纳米 尺度金属本征吸收与探测测器光电吸收之间耦合和竞争，提高探测器的光电转换 效率。

④研究金属与锗微纳结构接触界面态对载流子输运的影响机制，基于界面钝化和接触势垒高度的调控，降低探测器的暗电流。

（4）基于CMOS工艺光电子器件的集成技术及方案

①研究多种基本硅基微纳光电子功能器件和集成技术，研究有源与无源光子 器件间的高效耦合机理和纳米耦合结构，探索微纳尺度光、电、热、力学的传导、耦合与隔离机制，建立面向大规模光电集成的多场耦合联合仿真模型。

②研究分析微纳光子器件的色散、非线性、衰减、增益等劣化集成系统性能 的关键因素，研究超高带宽低功耗的光电并行双层体系结构以实现功能优化和切分，探索兼顾当前光、电器件水平的最优拓扑结构，使开关数和波导交叉最少、交换延迟最小。

③研究纳米级的硅基制备工艺，探索高精度的光刻、多层曝光套刻、硅基干 /湿法刻蚀、离子注入等与CMOS兼容的硅基加工工艺，利用国内标准CMOS工 艺线和低温硅基异质键合、外延生长等技术，开展硅基光电子器件与集成的制备 技术研究。