太阳能电池片生产工艺流程

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生产工艺介绍晶体硅太阳能电池工艺流程如下：

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生产工艺---清洗和表面腐蚀

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生产工艺---制绒

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表面绒面化由于硅片用P型(100)硅片， 可利用氢氧化钠溶液对单晶硅 片进行各向异性腐蚀的特点来 制备绒面。当各向异性因子 >10时(所谓各向异性因子就 是(100)面与(111)面单晶 硅腐蚀速率之比),可以得到 整齐均匀的金字塔形的角锥体 组成的绒面。绒面具有受光面 积大，反射率低的特点。可提 高单晶硅太阳电池的短路电流， 从而提高太阳电池的光电转换 效率。

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绒面受光面积金字塔形角锥体的表面积S0等于 四个边长为a正三角形S之和

1 3 S0 4 a a 3 a2 2 2由此可见有绒面的受光面积比光 面提高了倍即1.732倍。

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绒面反射率当一束强度为E0的光投射到图中的A点，产生反射光Φ1和进 入硅中的折射光Φ2。反射光Φ1可以继续投射到另一方锥的B点， 产生二次反射光Φ3和进入半导体的折射光Φ4;而对光面电池就 不产生这第二次的入射。经计算可知还有11%的二次反射光可能 进行第三次反射和折射，由此可算得绒面的反射率为9.04%。

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生产工艺---扩散

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生产工艺---表面成膜

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等离子化学气相沉积(PEVCD) PEVCD被使用来在硅片上沉积氮化硅材料，是在 300-900℃的温度下通过化学反应产生Si3N4的过 程。典型的化学反应为： SiH4 + NH3 → Si3N4 + NH3 + N2 多晶硅太阳电池广泛使用PECVD淀积SiN ,由于 PECVD淀积SiN时,不光是生长SiN作为减反射膜, 同时生成了大量的原子氢,这些氢原子能对多晶硅 片具有表面钝化和体钝化的双重作用,可用于大批 量生产高效多晶硅太阳电池,为上世纪末多晶硅太 阳电池的产量超过单晶硅太阳电池立下汗马功劳 。随着PECVD在多晶硅太阳电池成功,引起人们 将PECVD用于单晶硅太阳电池作表面钝化的愿望 。

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生产工艺---制备电极(1)

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生产工艺---制背电极(2)

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生产工艺---背表面钝化

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五、生产设备—清洗设备

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生产设备—扩散炉

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生产设备—刻蚀

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生产设备—PECVD