太阳能电池片生产流程解析
发布时间:2024-11-06
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我们都是一群追赶太阳的人!
太阳能电池片生产流程解析
一、概念
太阳能电池: 就是将太阳能转化为电能的半导体器件。 二、工艺流程
太阳能电池工艺流程:清洗制绒→扩散→刻蚀→去PSG→ PECVD→丝网印刷→烧结→测试分档→分选→包装 (一)、制绒和清洗
硅片表面处理的目的:去除硅片表面的机械损伤层,清除表面油污和金属杂质,形成起伏不平的绒面,增加硅片对太阳光的吸收效率。
绒面腐蚀原理:利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性,在硅片表面腐蚀形成角锥体密布的表面形貌,就称为表面织构化。角锥体四面全是由〈111〉面包围形成,反应式为:
Si+2NaOH+H2O →NaSiO3 +2H2 ↑
制备绒面的目的: 减少光的反射率,提高短路电流(Isc),最终提高电池的光电转换效率。
陷光原理:当光入射到一定角度的斜面,光会反射到另一角度的斜面,形成二次或者多次吸收,从而增加吸收率。
影响绒面质量的关键因素:1.NaOH浓度 2.异丙醇浓度 3.制绒槽内硅酸钠的累计量 4. 制绒腐蚀的温度 5.制绒腐蚀时间的长短 6.槽体密封程度7.异丙醇的挥发程度 化学清洗原理
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HF去除硅片表面氧化层:
SiO2 + 6HF → H 2 [SiF6 ] + 2H 2 O
HCl去除硅片表面金属杂质:盐酸具有酸和络合剂的双重作用,氯离子能与 Pt2+、Au3+、 Ag+、Cu+、Cd2+、Hg2+等金属离子 形成可溶于水的络合物。 ★注意事项
NaOH、HCl、HF都是强腐蚀性的化学药品,其固体颗粒、溶液、蒸汽会伤害到人的皮肤、眼睛、呼吸道,所以操作人员要按照规定穿戴防护服、防护面具、防护眼镜、长袖胶皮手套。一旦有化学试剂伤害了员工的身体,马上用纯水冲洗30分钟,送医院就医。 (二)、扩散
太阳电池制造的核心工序——PN结(太阳电池的心脏) 扩散的目的:形成PN结 太阳能电池磷扩散方法
1.三氯氧磷(POCl3)液态源扩散2.喷涂磷酸水溶液后链式扩散3.丝网印刷磷浆料后链式扩散,现大多采用的是第一种方法。 POCl3磷扩散原理
POCl3在高温下(>600℃)分解生成五氯化磷(PCl5)和五氧化二磷(P2O5),其反应式如下:
5 POCl3→3 PCl5+ P2O5 (>600°)
生成的P2O5在扩散温度下与硅反应,生成二氧化硅(SiO2)和磷原子,其反应式如下:
2 P2O5+ 5Si = 5SiO2+ 4P ↓
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POCl3磷扩散原理
在有氧气的存在时,POCl3热分解的反应式为: 4 POCl3+ 5O2 → 2 P2O5 + 6Cl2 ↑
POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面,P2O5与硅反应生成SiO2和磷原子,并在硅片表面形成一层磷硅玻璃,然后磷原子再向硅中进行扩散。 POCl3磷扩散原理
由上面反应式可以看出,POCl3热分解时,如果没有外来的氧(O2)参与其分解是不充分的,生成的PCl5是不易分解的,并且对硅有腐蚀作用,破坏硅片的表面状态。但在有外来O2存在的情况下,PCl5会进一步分解成P2O5并放出氯气(Cl2)其反应式如下:
4 PCl5+ 5 O2→2 P2O5+ 10 Cl2↑
过量O2生成的P2O5又进一步与硅作用,生成SiO2和磷原子, 由此可见,在磷扩散时,为了促使POCl3充分的分解和避免PCl5对硅片表面的腐蚀作用,必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。
影响扩散的因素:管内气体中杂质源的浓度、扩散温度、扩散时间。 扩散层薄层电阻(又称方块电阻)及其测量
在太阳电池扩散工艺中,扩散层薄层电阻(方块电阻)是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要工艺指标之一。方块电阻也是标志进入半导体中的杂质总量的一个重要参数。 (三)、刻蚀
1.原理:用高频辉光放电反应,使反应气体(四氟化碳+氧气)激活成活性离子、原子、自由基,这些活性离子扩散到所需要刻蚀部位与那里的材料反应形
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成挥发性物质被除去。
特点:快速除去PN结的同时又能获得良好物理形貌
2.设备:刻蚀机6台(4台能用),每台可处理2批硅片,一次用时23.6MIN,分别为:预抽100S+主抽50S+送气150S+辉光910S+清洗180S+充气30S
3.刻蚀前准备工作:1C厚取四氟乙烯板、硬铝夹片五个,整齐平正,无异物、碎片,夹紧,每班次交接班时要做两次饱和用以来预热设备,用时两个工艺时间。 4.检测方法: A.冷热探针仪 N型面(负面)偏负 P型面(正面)偏正
冷探针连接电压表正电极,热探针连接电压表负电极。 B.万用电表
用以来测边缘电阻需大于20千欧 C.四探针方块电阻测试仪
刻蚀中容易产生的问题及检测方法:
1.刻蚀不足:边缘漏电,并联电阻(Rsh)下降,严重可导致失效。检测方法:测绝缘电阻 2.过刻: 正面金属栅线与P型硅接触,造成短路。过刻 检测方法:称重及目测
(四)、去磷硅玻璃 什么是磷硅玻璃?
在扩散过程中发生的化学反应使硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2, 称之为磷硅玻璃。
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磷硅玻璃的去除
氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸能与二氧化硅作用生成易挥发的四氟化硅气体。
SiO+ 4HF→ SiF↑+2H2O
若氢氟酸过量,反应生成的四氟化硅会进一步 与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。
SiO + 6HF → H 2 [SiF6 ] + 2H2 O
去除磷硅玻璃的目的:1.磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮,导致电流的降低和功率的衰减。2.死层的存在大大增加了发射区电子的复合,会导致少子寿命的降低,进而降低了短路电流 Voc和开路电压Isc。3.磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差。 (五)、PECVD
PECVD =Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 即“等离子增强型化学气相沉积”,是一种化学气相沉积。PECVD是借助微波使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。
★安全事项:使用和维护本设备时必须严格遵守操作规程和安全规则,因为:本设备的工艺气体为SiH4和NH3,二者均有毒,且SiH4易燃易爆。 本设备运行时会产生微波辐射,每次维护后和停机一段时间再开机前都要检测微波是否泄漏。
等离子体:由于物质分子热运动加剧, 相互间的碰撞就会使气体分子产生电离,这样物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子,电子和中性粒子组成的
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混合物。
PECVD的目的:
1.镀减反射薄膜(SiN) 其具有卓越的抗氧化和绝缘性能,同时具有良好的阻挡钠离子和掩蔽金属离子和水蒸气扩散的能力,它的化学稳定性很好,除氢氟酸和热磷酸能缓慢腐蚀外,其它酸与它基本不起作用 2.表面钝化作用,保护半导体器件表面不受污染物质的影响,半导体表面钝化可降低半导体表面态密度3.钝化太阳电池的体内,在SiN膜中存在大量的H,在烧结过程中会钝化晶体内部悬挂键。
(六)、丝网印刷与烧结
丝网印刷是通过刮条挤压丝网弹性形变后将浆料漏印在需要印刷的材料上的一种印刷方式,这也是目前普遍采用的一种电池工艺。
电池片丝网印刷的三步骤:1.背电极印刷及烘干, 浆料:Ag /Al浆,如Ferro 3398;
2. 背电场印刷及烘干,浆料:Al浆, 如Analog pase-12;3. 正面电极印刷, 浆料:Ag浆,如Dupont PV147。
丝网印刷是把带有图像或图案的模版被附着在丝网上进行印刷的。通常丝网由尼龙、聚酯、丝绸或金属网制作而成。当承印物直接放在带有模版的丝网下面时,丝网印刷油墨或涂料在刮刀的挤压下穿过丝网中间的网孔,印刷到承印物上(刮刀有手动和自动两种)。 丝网上的模版把一部分丝网小孔封住使得颜料不能穿过丝网,而只有图像部分能穿过,因此在承印物上只有图像部位有印迹。换言之,丝网印刷实际上是利用油墨渗透过印版进行印刷的,
烧结的目的:干燥硅片上的浆料,燃尽浆料的有机组分,使浆料和硅片形成
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良好的欧姆接触。
烧结对电池片的影响:相对于铝浆烧结,银浆的烧结要重要很多,对电池片电性能影响主要表现在串联电阻和并联电阻,即FF的变化。铝浆烧结的目的使浆料中的有机溶剂完全挥发,并形成完好的铝硅合金和铝层。局部的受热不均和散热不均可能会导致起包,严重的会起铝珠。背面场经烧结后形成的铝硅合金,铝在硅中是作为P型掺杂,它可以减少金属与硅交接处的少子复合,从而提高开路电压和短路电流,改善对红外47线的响应。 ★安全事项
灼热的表面有烫伤的危险;有害或刺激性粉尘、气体导致人身伤害; 设备运转时打开或移动固定件有卷入的危险。
测试的目的:根据不同的电性能分档, 以便于组件的制造。 三、太阳能电池名词解析
光生伏特效应:1.吸收光子,产生电子空穴对 2.电子孔穴对被内建电场分离,在PN结两端产生电势3.将 PN结用导线连接,形成电流。
电性能测试条件:温度(T)25±2℃ 光强(E)1000±50W/㎡ 光谱分布:AM1.5 太阳电池电性能参数:Isc :短路电流 Voc:开路电压 Impp最大电流 Vmpp最大电压 Pmpp:最大功率 Rs:串联电阻 Rsh:并联电阻 FF:填充因子 EFF:转换效率