基于ARM的嵌入式数据采集系统的研究(20)

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孛蓬表遘天举竣士学燕论文第三章系麓凝件设跨３．３．５存储器接口电路㈣

１、趋毽箍岛ＮＯＲＦｌａｓｈＲＯＭ积ＳＤＲＡＭ盼接墨电路

蠹予Ｓ３Ｃ４４ＢＯＸ蠢鸯不带ＲＯＭ显内豁ＳＲＡＭ爱天才８ＫＢ，囊敦零系统透过惑臻努扩了一片２ＭＢ的ＳＳＴ３９ＶＦｌ６０种一片８ＭＢ的ＨＹ５７ｖ“１６２０，前者用于存放襁序代码、常餐寝以及一些在系统撺电后需要保襻的用户数据；厢者在系统中用作程序的运行空间、数据及堆栈区。两砉与处理器懿连接鲡罄３心。壶予它们瓣数攫宽度郡为ｉ６谴，纛越理嚣按爨字节编泣，嚣鼓连接辩盛淀煮将薤理纂翦遣蜒”左移”ｌ挝，蒋建瑷墓线ＡＤＤＲｌ与存藉嚣的ＡＯ据遽。戴多｝，ＳＳＴ３９ＶＦｌ６０使用ｎＧＣＳｏ片选信号．即映射至ＢＡＮＫ０，地址范围为０ｘ０，－Ｏｘ０２００００００，而ＨＹ＿５７ｖ６４１６２０使用ｎＧＣＳ６，郎其地址范围是０ｘｏｃ００００００—０ｘｏｅ００００００。

ＦｌａｓｈＲＯＭ采臻标攫惑线攘瑟与处瑗嚣交互，对它鹣读取幂嚣要任姆特殊戆鼗羁，餐需要先在硬律上设定铡ｆｌ：０｛翻夫，，ｊ、端，蠢蠖健处理嚣知道ＦｌａｓｈＲＯＭ魏数掭长度帮位穿。大小端的设置由ＥＮＤＩＡＮ引脚决定，处理器通过宦的输入逻辑电平来确定数据蹙型是小端避魁Ａ端：０为小端，ｌ为大端。ＢＡＮＫ０存储器的总线宽度由ＯＭ［Ｉ：０１决定：００为８怔，ｏｌ为１６纯，１０受３２爱，ｌｌ翼ｌ耀予溅试模式。麦增强系绞蜉灵活褴，本系统楚蓬羧璐开美设置ＯＭ｝ｉ：０渖ｌＥＮＤＩＡＮ，警某些系统使鞴的鞠ａｓｈ数据位窝改变或需簧淑变位序时，强霈通过拨码开荚改变设置即可。萁宝存储体的总线搬度只能在策统复位后，由糨序通过ＢｗＳＣＯＮ特殊寄存器的相应位进行设定。

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匿３－５ＮｏｒＦｌａｓｈ翡ＳＤＲＡＭ连接辫

系统上奄整霞磊，处避瓣鑫动蘸Ｏｘ０缝蜒薤开始敬攒令技孬，落鼗，ＦｌａｓｈＲＯＭ率委存藏启动代码，用于系统引导和初始化工作。随后，程序代码一般应调入ＳＤＲＡＭ中运行，以提高系统的运行逋皮。同时，系统及用户堆栈、运行数据也都放在ＳＤＲＡＭ中。

２、处理嚣鸟ＮＡＮＤＦｌａｓｈ辨搂叠设计

ＮＡＮＤＦｌａｓｈ筵ｆｌａｓｈ存储器匏一静技零耀格，其斑粼激糟ｊ＃线注宏嚣露模式，糍爨供极高。１６．