武汉科技大学考研电子技术试题及答案05-07(11)

武汉科技大学考研电子技术历年试题及答案,由于08年和10年文件过大,故没有上传,见谅。

R=2k ，Rc=1k ，C1=C2=10 F，VCC=20V，三极管Q1的VBE=0.7V，β＝20，rbb’=200 。DZ为理想的硅稳压二极管，其稳压值为UZ=5V。试求:

(1) 静态工作点IB、IC及VCE； (2) 画出微变等效电路；

(3) 计算放大电路的电压增益Av Vo/Vi

Ro。

，输入电阻Ri和输出电阻

图2

四、（25分）高输入阻抗型场效应管差分放大电路如图3所示。已知

gm=2mS，RL=Rd=RS=10 k ，VCC=15V。试求：

(4) 差模电压增益AVD2，共模电压增益AVC2及共模抑制比KCMR； (5) 当vi1=10 mV时，输出电压vo=？