《模拟电子技术基础》胡宴如 课后答案(20)

（d）由于uGS>0，故为增强型NMOS管，电路符号如图解P2.11（d）所示，由图P2.11（c）可得UGS(th)=1V。

2.12场效应管的输出特性曲线如图P2.12所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出UGS（off）、IDSS；对于增强型管求出UGS（th）。

解：（a）由于uGS可为正、负、零，UGS（off）=－1.5V，故为耗尽型NMOS管，电路符号如图解P2.12（a）所示。由图P2.12(a)可得，uGS=0V时的漏极饱和电流值为IDSS≈0.8mA.

(b)由于uGS>0，故为增强型NMOS管，电路符号如图解P2.12（b）所示。由图P2.12（b）可得UGS（th）=2V

（c）由于uGS≤0，故为N沟道结型场效应管，电路符号如图解P2.12（c）所示。由图2.12(c)可得UGS（Off）=－4V，IDSS=4mA

(d)由于uGS＜0，故为增强型PMOS管，电路符号如解图P2.12（d）所示。由图2.12(d)可得UGS（th）= -1V。

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