2μm波段Sb基多量子阱材料的制备_李占国(3)

第２期

李占国等：２．０μｍ波段Ｓｂ基多量子阱材料的制备

５０７

／解理成１采用了标准的光刻工艺。在１０ｍｍ×１０ｍｍ的小片，００　　选择经过测试后质量较好的外延片，

刻蚀掩膜，清洗后烘烤，然后采用电子束蒸发工艺溅射０．１０００级光刻间采用标准的光刻工艺，１５μｍ厚度为／／剥离光刻胶，清洗后，１００ｎｍ的ＳｉＯ０ｎｍ　Ｔｉ３０ｎｍＰｔ５００ｎｍ　Ａｕ，Ｔｉ层为　ｐ型欧姆接触溅射３２电流隔离层，

／粘附层，Ｐｔ层为阻挡层，Ａｕ层为接触层。机械减薄衬底至１３０μｍ左右，ｎ型欧姆接触溅射４０ｎｍ　Ａｕ１５０

，纯氢气氛中合金３完１００ｎｍ　Ｎｉ４２０℃温度条件下，０ｓ后ｎ面电镀金约１０００ｎｍ用于电极球焊引线，ｎｍＧｅ／腔长为１注入电流１．成欧姆接触工艺。制备的激光器条宽为５０μｍ，０００μｍ。器件阈值电流约为３００ｍＡ，５Ａ

时，最大出射功率约为２如图３所示。２ｍＷ，

３　结　论

／本文采用ＭＢ通过优化调节量子阱的生长参数，获Ｅ外延技术生长ＩｎＧａＡｓＳｂＡｌＧａＡｓＳｂ多量子阱材料，

材料的发光波长约为２．得了具有高质量的多量子阱材料。室温荧光光谱表明，０μｍ。该结果表明通过调节生长参数和材料组分等参数可以获得质量较好的外延材料。参考文献：

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［］［］ｏｗｅｒ８ａｕｆｅｌＧ，ＫｅｌｅｍｅｎＭ　Ｔ，ＭｉｋｕｌｌａＭ，ｅｔａｌ．ＧａＳｂｂａｓｅｄｔａｅｒｅｄｄｉｏ …… 此处隐藏：1498字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……