基本薄膜材料总汇(5)

分预熔且蒸发真空度希望大于上述这数值.蒸发此种材料时宜控制衡定的蒸发速率,材料可添加重复使用,为减少杂气排放量,尽量避免全数使用新材料.

蒸气中的TI和TIO和O2反应生成TIO2

常用于制备抗反射膜和SIO2叠加制备各种规格的截止膜系和滤光片等.

名称:锗(Ge)

稀有金属,无毒无放射性,主要用于半导体工业,塑料工业,红外光学器件,航天工业,光纤通讯等.透光范围2000NM---14000NM,n=4甚至更大,937（℃）时熔化并且在电子枪中形成一种液体,然后在1400（℃）轻易蒸发.用电子枪蒸发时它的密度比整体堆积密度低,而用离子助镀或者镭射蒸镀可以得到接近于松散密度.在锗基板上与THF4制备几十层的8000---12000NM带通滤光片,如果容室温度太高吸收将有重大变化,在240--280（℃）范围内,在从非晶体到晶体转变的过程中GE有一个临界点.

名称:锗化锌(ZnGe)

疏散的锗化锌具有一个比其相对较高的折射率,在500NM时N=2.6,在可见光谱区以及12000—14000NM区域具有较少的吸收性并且疏散的锗化锌没有其材质那么硬.使用钽舟将其蒸发到150摄氏度的基板上制备SI/ZnGe

及ZnGe/LaF3膜层试图获到长波

长IR渐低折射率的光学滤镜.

名称:氧化铪(HfO2)

在150摄氏度的基板上有用电子枪蒸着,折射率在2.0左右,用氧离子助镀可能取和得

无色圆盘状或灰色颗粒状和片状.

名称:碲化铅（PbTe）

是一种具有高折射率的IR材料，作为薄膜材料在3800---40000NM是透明的，在红外区N=5.1—5.5，该材料升华,基板板温度250摄氏度是有益的,健康预防是必要的,在高达40000NM时使用效果很好,别的材料常常用在超过普通的14000NM红外线边缘.

名称:铝氟化物（ALF3）

可以在钼中升华， 在190—1000NM区域有透过性，N=1.38,有些人声称已用在EXIMER激光镜,它无吸收性,在250—1000NM区域透过性良好.ALF3是冰晶石,是NaALF4的一个组成部分,且多年来一直在使用,但是在未加以保护层时其耐久性还未为人知.