单片机温度控制系统毕业论文(10)

单片机温度控制系统毕业论文

除的E2PRAM。高速暂存RAM的结构为8字节的存储器，结构如图1.3所示。头2个字节包含测得的温度信息，第3和第4字节TH和TL的拷贝，是易失的，每次上电复位时被刷新。第5个字节，为配置寄存器，它的内容用于确定温度值的数字转换分辨率。DS18B20工作时寄存器中的分辨率转换为相应精度的温度数值。它的内部存储器结构和字节定义如图1.3所示。低5位一直为１，TM是工作模式位，用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式。

表2－2 DS18B20内部存储器结构

Byte0

Byte1 Byte2 Byte3 Byte4 Byte5 Byte6 Byte7 Byte8

E2PROM

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