富士IGBT模块应用手册 -6章 散热设计方法(5)

富士IGBT模块应用手册

因此，稳态损耗为

x

)IGBT侧的稳态损耗 Psat DT

0

ICVCE(

sat)

d

1

22DT 2I MVO IM2 R

FWD侧的稳态损耗 P F 1

222DF

I MVO IM2R 在此，DT、DF：在输出电流半波上的IGBT及FWD的平均导通率

在输出电流半波上的IGBT及FWD的平均导通率为如图 6-4所示的特性。

A(）

FIはAICい（V0＋R FるI或R IF

あCIICV0

VCEあるいはVCE或IF（A）

VF(V)图 6-3 输出特性近似

-1-0.50

0.51

功率因数：cos力率：　cos　ΦΦ

图 6-4 在正弦波PWM变频器中功率因数和导

通率的关系

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3) 交换损耗

交换损耗-IC特性，如图 6-5所示，一般以下式作近似计算。

Eon Eon' IC/额定IC a

　)J失(Eoff Eoff' IC/额定IC b

損）

JグErr Err c

ン（' IC/额定IC

チ耗ッ损a、b、c：乘数

イ换ス交Eon′、Eoff′、Err′：额定IC时的Eon、Eoff、Err值。

因此，交换损耗如下表示：

·开通损失（Pon）

Pon fo

n

Eon k （n：半周期间的交换次数=fc／2fo） K

1

foEon'

1额定 n

Ia

kCa

Ck

1

foEon'

n

额定Ca´

2Masin d

≒foEon'1

额定nICa

Ma

1

IMa

2fcEon' 额定C

1

2

fcEon IM

Eon（IM）：IC=IM时的Eon

·关断损耗（Poff）

Poff≒12

fcEoff IM

Eoff（IM）

：IC=IM时的Eoff

·FWD反向恢复损耗（Prr）

Poff≒12

fcErr IM

Err（IM）

：IC=IM时的Err

第 6 章 散热设计方法

IC　(A)

定格额定IICC

　图 6-5 交换损耗的近似