PS700 电池监控器 21760f_cn

PS700

4.0

4.1

存储器/工作寄存器介绍

存储器/寄存器的映射

4.4.1DCA–放电计数累加器

对PS700 内部结构的访问是基于严格的存储器映射的。PS700为响应SMBus命令所直接采取的操作只有对寄存器、RAM或EEPROM的读写操作。任何PS700操作均发生于数据被写入内部控制寄存器。

PS700中的寻址方式是通过10位地址外加2个存储区选择位来实现的。因此，PS700内共有4K字节的地址单元可供寻址，分别由4个存储区组成。每个存储区包含1024个地址单元。存储区0由EEPROM专用，存储区1包括RAM/寄存器， 存储区2包括测试寄存器而存储区3为保留存储区。

表4-1介绍了PS700的存储器映射。表中存储器单元的符号格式表示为y:0xzzz，其中‘y’为存储区而‘zzz’为16进制地址。

DCA 为32位寄存器，用于存放电池累计放电容量。在每一次转换完成后，如果 Ires的符号位置‘1’，且电流累加功能被使能，则电流测量值将被累加到 DCA。因此，在电流测量操作完成后，检测电阻两端电压为负（VSR < GND）时，该寄存器中的内容将被更新。如果允许计数超出0xFFFFFFFF，则 DCA寄存器中计数值可能出现计满返回，因此主机系统需对该寄存器内容进行正确维护。通过使用ACCclr寄存器中的CLR0位（如寄存器4-6中所述）可以对DCA寄存器进行清零操作。

4.4.2DTC–放电时间计数器

4.2EEPROM

DTC记录了电池处于放电状态的累计时间长度 。SR 引脚电压极性为负表明电池处于放电状态。该寄存器采用2Hz内部时钟速率进行递增计数；因此，只要电流累计功能被使能，则DTC将以每秒计数2次或每小时7200次的速率进行递增计数，电流转换结束后，Ires寄存器的符号位返回‘1’。如果允许计数超出 0xFFFFFFFF，则 DTC寄存器中计数值可能出现计满返回，因此主机系统需对该寄存器内容进行正确维护。通过使用ACCclr寄存器中的CLR1位（如寄存器4-6中所述）可以对DTC寄存器进行清零操作。

512字节的 EEPROM位于存储区0，占用地址为0:0x000 至0:0x1FF。所有关键的PS700 参数、校正因子以及自学习数据都存放在PS700内部集成的EEPROM中。PS700的 EEPROM映射见表4-2。可以采用字节或块传输模式对EEPROM进行读操作，但写操作只能采用字节传输方式。对 EEPROM进行写操作时的传输速率约为4ms/字节。如果没有其它EEPROM正在执行的写周期，PS700将立即对来自SMBus的EEPROM 写周期命令作出确认。如果在前一次写操作请求尚未处理完毕时试图进行另一次EEPROM写周期操作， PS700将回送一个负确认位，直至前一次写周期结束。根据当前是否正在执行EEPROM写周期操作，此时请求EEPROM读操作周期也将产生一个负确认位或确认位。

在温度低于0°C且供电电压低于3.3V时，数据EEPROM无法可靠写入。对于寄存器或RAM 地址单元的读写操作将不会受到正在进行的EEPROM写周期的影响。

4.4.3CCA–充电计数累加器

CCA 为32位寄存器，用以存放电池累计充电电流。在每次电流转换完成后，Ires的符号位清0 且电流累加功能被使能，则测量值将被累加到CCA。因此，在电流测量操作完成后，检测电阻两端电压为正（VSR > GND）时，该寄存器中的内容将被更新。

如果允许计数超出0xFFFFFFFF，则 CCA寄存器中计数值可能出现计满返回，因此主机系统需对该寄存器内容进行正确维护。通过使用ACCclr寄存器中的CLR2位（如下所述）可以对CCA寄存器进行清零操作。

4.3通用RAM

器件提供32 字节的通用RAM用于存放临时数据，它位于存储区1，占用地址为1:0x000至1:0x01F。可以通过字节或块传输模式对RAM进行读写操作。

4.4操作寄存器

以下详细介绍了PS700 中的所有寄存器以及其中包含的所有控制位、状态位、结果位和字段。

DS21760F_CN 第14页 2004 Microchip Technology Inc.