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A.阳极加正向电压，门极有正向脉冲B.阳极加正向电压，门极有负向脉冲C.阳极加反向电压，门极有正向脉冲D.阳极加反向电压，门极有负向脉冲

0100003、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用（B）A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路

0100002、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（A）A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下0100002、IGBT是一个复合型的器件，它是（B）A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO0100002、晶闸管稳定导通的条件（C）A.晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B.晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C.晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D.晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流

0100001、具有自关断能力的电力半导体器件称为(A)A、全控型器件C、不控型器件

B、半控型器件D、触发型器件

0100002、取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的(D)A、转折电压C、阈值电压

B、反向击穿电压D、额定电压

0100002、晶闸管的伏安特性是指(C)A、阳极电压与门极电流的关系C、阳极电压与阳极电流的关系

B、门极电压与门极电流的关系D、门极电压与阳极电流的关系

0100002、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在(B)A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定0100002、在型号KP10－12G中，数字10表示(B)A、额定电压10VB、额定电流10AC、额定电压1000VD、额定电流100A

0100002、对于同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有，IL（A）IHA、大于B、等于C、小于D、无关

0100002、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应使干扰信号的幅值限制在（D）