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0100004、试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。（12分）器件优点缺点IGBT

GTR

GTO

电力MOSFET

解：对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下表：

器件优点缺点

开关速度高，开关损耗小，具有

耐脉冲电流冲击的能力，通态压开关速度低于电力MOSFET,

IGBT

降较低，输入阻抗高，为电压驱电压，电流容量不及GTO动，驱动功率小

开关速度低，为电流驱动，所

耐压高，电流大，开关特性好，

GTR需驱动功率大，驱动电路复

通流能力强，饱和压降低

杂，存在二次击穿问题电流关断增益很小，关断时门

电压、电流容量大，适用于大功

极负脉冲电流大，开关速度

GTO率场合，具有电导调制效应，其

低，驱动功率大，驱动电路复

通流能力很强

杂，开关频率低

开关速度快，输入阻抗高，热稳

电流容量小，耐压低，一般只

电力定性好，所需驱动功率小且驱动

适用于功率不超过10kW的电

MOSFET电路简单，工作频率高，不存在

力电子装置

二次击穿问题（3A）（4B）0100004、为使晶闸管变流装置正常工作，触发电路必须满足什么要求？

答：1）触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通2）触发脉冲应有足够的幅度3）触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额4）应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。

（4B）0100003、过电压与过电流产生的原因是什么？简述他们的保护措施（各举两种即可）。答：过电压产生的原因有外因过电压和内因过电压两种，其中外因过电压主要有：操作过电压和雷击过电压，内因过电压主要有：换相过电压和关断过电压。

保护措施有：RC过电压抑制电路，反向阻断式RC电路，雪崩二极管，金属氧化物压敏电阻，硒堆和转折二极管等

过电流产生的原因主要是过载和短路。