美的电磁炉 原理及故障维修

第十节、脉宽调控电路的基本原理；

脉宽调控电路（PWM）就是将单片机CPU芯片输出不同占空比的方波脉冲转化成相应的直

流电压，其实脉宽调控电路（PWM）也可以看成是一种非常简单的“数模转换”电路。脉宽调

控电路是单片机CPU芯片控制整个电磁炉工作状态唯一的通道。由电阻R23（10KΩ）、R24（51

KΩ）、R25（51 KΩ）、电容器C11（104）和电解电容器EC5（4.7μF/16V）等组成积分电路。

单片机CPU输出的PWM脉冲宽度越宽，EC5的电压越高，比较器（U2D）的同相输入端对地电

压也就越高。同时IGBT管导通的时间就越长。当电磁炉高压保护电路、电网电压保护电路、

电流保护电路、浪涌保护电路等出现故障时，均通过脉宽调控电路（PWM）将电磁炉加热功率

调节幅度减小，使IGBT管处于截止状态。

第十一节、锅具温度检测电路的基本原理；

为了防止电磁炉加热、或在无人监护下进行加热时，造成锅具出现干烧现象、及电磁炉

在加热中出现异常的温升，而设计的锅具温度检测电路。该电路经负温度传感器（热敏电阻）

将检测取样电压送至单片机CPU芯片（TMAIN）电路进行自动识别控制，当锅具加热温度高于

220℃时, 使单片机 CPU芯片（TMAIN）电路温度检测电压上升，造成单片机CPU芯片自动关

机保护。同时通过控制显示板显示出“超温E3、E03代码”。当负温度传感器（热敏电阻）、

及锅具温度检测电路出现异常时，单片机CPU芯片指令自动关机保护，造成“电磁炉无法启

动”。

第十二节、IGBT管温度检测电路的基本原理；

IGBT管温度检测电路是利用负温度特性热敏电阻紧贴在散热片上，热敏电阻的阻值变化

间接反映了IGBT管温度的变化。经取样分电后送至单片机CPU芯片（TEMP-IGBT）电路进行

识别控制。当IGBT管温度上升越高即热敏电阻阻值变的越小，检测取样电压就变的越高。反

之当IGBT管温度下降的越低即热敏电阻阻值变的越大，则检测取样电压就变的越低。

当IGBT温度上升至100℃以上时，温度检测取样电压就升高单片机CPU芯片立即发出超温而

自动关机保护,同时通过控制板显示出超温E6、E06代码故障。待机内温度降到70℃左右，

电磁炉又恢复加热。若负温度传感器（热敏电阻）、及IGBT温度检测电路异常，单片机CPU

芯片自动关机保护，并通过控制板显示出E4、E04及E6、E06代码故障，迫使电磁炉无法再

启动。

第十三节、上电延时电路的基本原理；

1、电磁炉上电延时电路指的是：电磁炉在上电时有几百万分之一秒时间内有时容易造成IGBT

管击穿损坏。为此，为了避免电磁炉在上电时IGBT管不受损，而设计了该电路的保护装置。

上电延时电路与浪涌保护电路，均由比较器U2A（LM339）来完成。上电延时电路是比较器U2A

的第4脚反相输入端及二极管D20（4148）、电容器EC3（47μF/25V）、电阻R44（10KΩ）等

组成。当电磁炉上电时，低压供电电路+5V电源通过电阻R44向电容器EC3充电，此时比较

器U2A第4脚反相输入端对地是0电压，U2A第5脚同相输入端对地+3.2V电压，比较器U2A

第2脚输出高电平使使能电路三极管（8050）Q6导通，将驱动放大电路三极管Q3（8050）、

Q4（8550）基极电压对地拉低，造成IGBT管截止。待电容器EC3充电饱和后（对地为+4.8V）

比较器U2A第2脚输出低电平，使电磁炉进入待机状态。

第十四节、开关电源电路的基本原理；

美的电磁炉开关电源是采用七脚（FGD200）及八脚（VIPER12A）电源芯片经单端反激式开关

电源变换交变，而产生低压供电的。其最大输出功率为220V/12W适应电网电压在160V至260V

波动时，均能正常稳定输出具有电源工作效率高、功耗小、稳压范围广、机身温度低、易维

修等优点。因此取代了以往电磁炉采用传统工艺的电源变压器。

电磁炉开关电源，由电网电压经整流后变为脉动直流电压+305V，通过串接开关二极管D90

（1N4007）、限流电阻R90（22Ω/2W）后，送至开关高频变压器T90初级的2-1绕组，加至