第1章集成电路的基本制造工艺(2)(半导体集成电路共14章)

(半导体集成电路共14章)

半导体 集成电路学校：西安理工大学 院系：自动化学院电子工程系 专业：电子、微电 时间：秋季学期

(半导体集成电路共14章)

1. 双极集成电路的基本工艺 2. 双极集成电路中元件结构

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双极集成电路的基本工艺E

B

C

S

P+

n+

pn+-BL

n+

P+ n-epiP-Si

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双极集成电路中元件结构AE B

C

S

P+ n-epi

n+

p

n+

P+

tepi-ox xmc xjc TBL-up

Tepiepi Tn+-BL

P-Si P-Si

A’四层三结结构的双极晶体管

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E C

B

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相关知识点

隐埋层的作用、电隔离的概念、寄生晶体管

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MOS集成电路的工艺

P阱CMOS工艺 N阱CMOS工艺 双阱CMOS工艺 BiCMOS集成电路的工艺

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源极(S) 栅极(G)

N沟MOS晶体管的基本结构

漏极(D) 源极

栅极(金属)

绝缘层(SiO2)漏极

n+

n+P型硅基板

半 导 体 基 板

MOS晶体管的动作2013-6-28

MOS晶体管实质上是一种使 电流时而流过，时而切断的开关

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MOS晶体管的立体结构polysilicon gate多晶硅栅top nitride氮化物 metal connection to source metal connection to gate doped silicon掺杂硅 metal connection to drain

field oxide oxide source gate drain oxide gate oxide

silicon substrate

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在硅衬底上制作MOS晶体管

silicon substrate

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field oxide

oxide

silicon substrate

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Photoresist 光刻胶 oxide silicon substrate

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Ultraviolet Light 紫外线 Chrome plated glass mask铬镀金 的玻璃屏 Shadow on photoresist

Exposed area of photoresist photoresist oxide

silicon substrate

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感光区域

非感光区域

photoresist oxide silicon substrate

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显影photoresist photoresist

Shadow on photoresist

oxide silicon substrate

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腐蚀

photoresist

oxide silicon substrate silicon substrate

oxide

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