晶体硅太阳电池设计-扩散基础

图7-1 扩散时间对于结深的影响

8、 扩散温度和扩散时间对方块电阻的影响

根据恒定源扩散理论，扩散入硅片单位表面的杂质总量为：

Q 2NsDt 1.13NsDt （8-1） 根据方块电阻的定义：RS x

j1qX(x) （8-2） j

式中X(x)j为单位面积扩散薄层内的净掺杂杂质总量，即(x)Xj=Q

将式（8-1）代入式（8-2）得：Rs 1

1.13quNsDt (8-3)

由于表面杂质浓度Ns、扩散系数D都是温度T的函数，所以只要调整扩散温度和扩散时间两个参数，就可得到确定的方块电阻值。

9、 方块电阻大小对电性能的影响

方块电阻偏低，扩散浓度大，则引起重掺杂效应，使电池开路电压和短路电流均下降； 方块电阻偏高，扩散浓度低，则横向电阻高，使Rs上升；因此，实际电池制作中，考虑到各个因素，，方块电阻控制在35～65 /□