晶体硅太阳电池设计-扩散基础(6)

发布时间:2021-06-06

晶体硅太阳电池设计-扩散基础

㈢ 扩散层薄层电阻的测试

硅片表面扩散层的薄层电阻可用四探针法测量。测量装置如下图所示。测量头是由彼此相距为s的钨丝探针组成,针尖要在同一平面同一直线上。测量时,将探针压在硅片的表面,外面两根探针通电流I,测量中间两根探针间的电压V。薄层电阻为:

C 称做修正因子,其数值的大小除与样品形状和大小有关,还与样品是单层扩散还是双层扩散等因素有关。

7、 扩散温度与时间

扩散时的温度和时间是控制电池结深的主要因素,在不影响PN结特性的前提下,扩散温度选择高一些,可以缩短扩散时间,有利于生产。对于浅扩散的情况,温度选择要适当,既不能使温度过高,使扩散时间过短,以致难于控制工艺,又不宜温度过低,而使扩散时间延长到不适当的地步,但是扩散的温度较高,这对结深和硅片的少子寿命影响比较大,导致转换效率大幅度降低,所以在制备晶体硅太阳电池还是要避免太高的扩散温度,我们现在的扩散温度一般控制在830-870度之间。。

在一定的温度下,扩散时间与结深的关系如图7-1所示。在恒定表面浓度扩散时,时间增加 t,扩散进入硅中的杂质总量Q相应增加,结深增加了 xj。在恒量表面杂质源扩散时,扩散进入硅中的杂质总量Q始终不变,扩散时间增加,表面浓度Ns下降,结深增加。

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