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电子科技大学二零零 九 至二零一 零 学年第 二 学期期 末 考试

微电子工艺 课程考试题 卷（120分钟） 考试形式： 开卷 考试日期 200 年 月 日

课程成绩构成：平时 分， 期中 分， 实验 分， 期末 分

一、简答题（总分66分，每题6分）

1、 名词解释：Moore law、More Moore、More than Moore、Fabless、Fablite、Chipless。

2、 现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请举出三个以上在这种工艺

中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？从6英寸硅片开始，请描述目前国际主流的芯片加工尺

寸和下一代的芯片加工尺寸？国际上市场占有率排名前二名的代工厂和国内目前最大的半导体生产企业的名称？

3、 集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，

为什么，并简述该隔离工艺的主要工艺步骤，说明这种隔离工艺的刻蚀采用何种刻蚀技术，为什么？

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4、 在集成电路制造工艺中，为什么采用轻掺杂漏（LDD）注入工艺？LDD注入工艺与阱注入工艺的主

要区别在哪里，为什么？LDD注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？侧墙工艺对LDD注入工艺效果有何帮助，如何形成？侧墙上能否形成钛的硅化物，为什么？

5、 解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺？多晶硅栅工艺怎么实现以

及有何优势。

6、 什么是CMOS电路中闩锁效应（Latchup），列举出三种以上抑制闩锁效应的方法，并解释其能抑制

闩锁效应的原因？

7、 在半导体制造技术中，高k介质和低k介质各自应用在什么地方，为什么？高k介质最重要的应用

何在，什么情况下必须采用高k介质？

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8、 阐述铝互连技术被铜互连技术取代的原因，并说明铜金属化面临的三大问题，如何解决这些问题？

铜金属复合层由哪几种金属组成，他们的作用分别是什么？为什么铜双大马士革工艺中要淀积铜种子层？

9、 在当今半导体制造技术中，主流刻蚀工艺常采用干法刻蚀而不采用湿法刻蚀工艺，为什么？何谓无

图形刻蚀，举出无图形刻蚀的工艺实例。如果要获得深宽比很高的硅槽，在刻蚀工艺可采取什么方

法，为什么？

10、比较投影掩模版和光学掩模版有何异同，其曝光过程有何异同？在什么情况下必须采用投影掩模

版？并说明采用什么技术形成投影掩模版上的图形？什么技术允许光刻胶材料对于曝光光线不透明，为什么？

11、化学机械平坦化的工作机理是什么？与传统平坦化方法相比，它有哪些优点？要实现铜金属化必须

要采用CMP，为什么？

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二、作图题（14分）

简单示意画出双阱CMOS反相器的纵向剖面图，只需画出第一层金属。根据双阱CMOS反相器的顶视图，画出其掩膜版图，包括器件隔离、阱注入、栅刻蚀、源漏注入以及金属化等工艺。同时注明所使用掩膜版为亮场掩膜版还是暗场掩膜版。

MOS????

三、计算题（总分20分，每题10分）

1、假如硅片在初始状态时已有1000埃的氧化层，计算 (1) 在120分钟内，920℃水汽氧化过程中生长的SiO2的厚度。(2) 在120分钟内水汽氧化中所消耗的硅的厚度是多少？(3) 为什么硅片热氧化结束时通常还要进行氢气或氢－氮混合气体退火？。已知：在920℃下，A=0.50μm，B=0.203μm2/h。

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1+2+

2、 假如从气态BF3分子中提取两种复合离子BF2和BF1分别进行浅结离子注入，实现P型掺杂， 当加速场的电势差为30 kV，束流为20微安，注入扫描面积是20×20 cm2。 1、 计算 （1）离子注入的能量分别为多少；（3分）

（2）当注入剂量为3×10 原子/cm，注入时间分别是多少？（3分） 2、 举例说明什么情况下有必要采用这种复合离子进行浅结离子注入。（4分）

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