模拟电路课件北航自动化 unit1

1963年：首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺； 1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路并研制出第一块门阵列(50门); 1971年：Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM) ,标志着大规模集成电路出现； 1978年：64kb DRAM诞生，不足0.5cm2的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路 (VLSI)时代的来临； 1988年：16M DRAM问世，1cm2大小的硅片上集成有3500万个晶体管

集成电路发展历程

1989年：486微处理器推出，25MHz,1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺； 1993年：66MHz奔腾处理器推出，采用0.6μm 工艺； 1995年：Pentium Pro, 133MHz,采用0.60.35μm工艺； 1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世，采用0.25μm工艺； 1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz,采用0.25μm 工艺，后采用0.18μm工艺；

集成电路发展历程

2000年：奔腾4问世，1.5GHz,0.18μm工艺； 2001年：Intel 2001年下半年采用0.13μm工艺； 2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺； 2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺；。 2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。 2009年：intel酷睿i系列全新推出，采用的32nm工艺； 2011年底，intel14nm制程工艺芯片已经完成设计计划2012一季度开始生产下一代22纳米工艺IvyBridge架构处理器

摩尔定律

摩尔定律是由英特尔(Intel)创始人之一戈登摩尔(GordonMoore)提出来的。其内容为：集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍

,而价格下降一半；或者说，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18 个月翻两番。这一定律揭示了信息技术进步的速度。

世界集成电路发展

世界集成电路产业一直以 3-4倍于国民经济增长速度发展。每年均增长17%。

世界超大集成电路生产的主流工艺水平是直径为 12 英寸 (300mm) 硅晶圆片，光刻精度(特征尺寸)为 0.13微米，已达到22nm、18英寸(450mm)水平。衡量集成电路产业技术水平的两个重要参数是: 晶圆直径特征尺寸世界最高水平的单片集成电路芯片上所容纳的元器件数量已经超过1亿个。

向SOC(System on Chip)发展

IC发展速度1959特征尺寸 um 硅片直径 mm 电源 V 集成度 MPU主频 Hz DRAM bit 管子价格 $ 10 25 5 5 6

19708 30 5 103 800k 1k 0.3

20000.18 200 3 108 1G 1G 10-6

20050.13 300 3 1010 5G 3G 10-8

世界IC市场 2000年世界IC市场总销售额达到$2044亿

Intel (美) 297.5 ;Toshiba112.1 ;NEC 110.8; Samsung 108.0 ; Texas Instrument 91.0 ; Motorola 80.0 ;STMicroelectronics (意法) 79.5 ; Hitachi (日立)72.8 ;Infineon(德)67.2 ; MicroTE(美)63.1 ; SUM 1087.8亿美元

中国IC的发展 2002年，市场销售额4862.5亿元，2007年，市场销售额 5623.7亿元计算机类、消费类、网络通信类三大领域占中国集成电路市场的88.1%

主要芯片制造厂家中芯国际，上海宏力，上海华虹，上海先进半导体，无锡华晶上华，上海贝岭，北京首钢日电，绍兴华越

国内投资建设生产线8英寸线有6条，14英寸的在建

集成电路生产主要流程需求设计掩膜版芯片制作芯片检测

材料(单晶硅等)封装测试

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