怎样判断IGBT、MOS管的好坏
发布时间:2024-11-12
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判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G )。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
怎样判断IGBT MOS管的好坏?怎么检测它的引脚?
IGBT
1、 判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G )。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
2、 判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT 的集电极(C),红表笔接IGBT 的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT 被阻断,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。
3、 注意事项
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
现在经常要检测MOS管了,转几篇MOS管的检测方法,以备随时观摩!
用万用表检测MOS开关管好坏的方法
一、MOS开关管针脚判断:
在电脑上,MOS管都是N沟道增强型的MOSFET开关管,大部分都采用TO-220F封装,其针脚判断方法是:将针脚向下,印有型号的面向自己,左边的是栅极,中间是漏极,右边是源极。
判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G )。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
二、万用表的选择:
测试MOS好坏只能用指针式万用表才方便点,测试时选择欧姆R×10K档,这时电压可达10.5V,红笔是负电位,黑笔是正电位。
三、测试步骤:
MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。 其步骤如下:
1、把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值则被测MOS管有漏电现象。
2、用一只100KΩ-200KΩ的电阻连在栅极和源极上,然后把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,这时表针指示的值一般是0,这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电,产生栅极电场,由于电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通,故万用表指针偏转,偏转的角度大,放电性越好。
3、把连接栅极和源极的电阻移开,万用表红黑笔不变,如果移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无穷大,则MOS管漏电,不变则完好。
4、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来,如果指针立即返回无穷大,则MOS完好。
判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G )。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
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1 用10K档,内有15伏电池.可提供导通电压.
2 因为栅极等效于电容,与任何脚不通,
不论N管或P管都很容易找出栅极来,否则是坏管.
3 利用表笔对栅源间正向或反向充电,可使漏源通或断,
且由于栅极上电荷能保持,上述两步可分先后,不必同步,方便.
但要放电时需短路管脚或反充.
4 大都源漏间有反并二极管,应注意,及帮助判断.
5 大都封庄为字面对自已时,左栅中漏右源.
以上前三点必需掌握,后两点灵活运用,很快就能判管脚,分好坏.
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用测量二级管档
1,用表笔三个脚都测量,如发现有一个正向电压,那么红表笔接的是S极,黑表笔接的是D极.(MOS管有体内二极管)
2,任意确定一个脚假设为S极接黑表笔,先用红表笔接两脚,如果有一个导通,那么导通的为D.(因为当你给G、S充电时,D、S会导通)
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一.红左,黑中、右 无穷大
黑左, 红中、右 无穷大
判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G )。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
红中,黑右 无穷大;
黑中红右显示530(左右)。
其实场效应管三极管很好判断:有字面朝上从左到右依次为:G、D、S,有些管相反:S、D、G。我修显示器、主板、电源都是从上面的方法测绝对没问题。你不信随便拆块板看一看,场效应管在电路图板的布局及应VMOS大功率场效应晶体管的检测
二.1判别各电极与管型
用万用表R×100档,测量场效应晶体管任意两引脚之间的正、反向电阻值。其中一次测量中两引脚的电阻值为数百欧姆,这时两表笔所接的引脚为源极S和漏极D,而另一引脚为栅极G。
再用万用表R×10k档测量两引脚(漏极D与源极S)之间的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值为2kΩ左右,反向电阻值大于500kΩ。
在测量反向电阻值时,红表笔所接引脚不动,黑表笔脱离所接引脚后,先与栅极G触碰一下,然后再去接原引脚,观察万用表读数的变化情况。若万用表读数由原来较大阻值变为0,则此红表笔所接的即是源极S,黑表笔所接为漏极D。用黑表笔触发栅极G有效,说明该管为N沟道场效应管。若万用表读数仍为较大值,则黑表笔接回原引脚不变,改用红表笔去触碰栅极G后再接回原引脚,若此时万用表读数由原来阻
判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G )。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
值较大变为0,则此时黑表笔接的为源极S,红表笔接的是漏极D。用表红笔触发栅极G有效,说明该管为P沟道场效应晶体管。
2.判别其好坏
用万用表R×1k档或R×10k档,测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时,除漏极与源极的正向电阻值较小外,其余各引脚之间(G与D、G与S)的正、反向电阻值均应为无穷大。若测得某两极之间的电阻值接近0Ω,则说明该管已击穿损坏。
另外,还可以用触发栅极(P沟道场效应晶体管用红表笔触发,N沟道场效应管用黑表笔触发)的方法来判断场应管是否损坏。若触发有效(触发栅极G后,D、S极之间的正、反向电阻均变为0),则可确定该管性能良好。
用吧
三,1 用10K档,内有15伏电池.可提供导通电压.
2 因为栅极等效于电容,与任何脚不通,
不论N管或P管都很容易找出栅极来,否则是坏管.
3 利用表笔对栅源间正向或反向充电,可使漏源通或断,
且由于栅极上电荷能保持,上述两步可分先后,不必同步,方便. 但要放电时需短路管脚或反充.
4 大都源漏间有反并二极管,应注意,及帮助判断.
判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G )。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
5 大都封庄为字面对自已时,左栅中漏右源.
以上前三点必需掌握,后两点灵活运用,很快就能判管脚,分好坏.
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