自举式IR2110集成驱动电路的特殊应用

时间:2025-02-22

IR2110驱动电路设计,防栅极干扰,负压

(电力电子技术)2000年笫1期2000.2

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自举式IR2110集成驱动电路的特殊应用

SpecialApplicationofBootstrapIntegratedDriveCircuitIR2110

西北工业大学马瑞辫刘溉国(西安710072)

摘拦:针对自举式IR2110集成驱动电路,对其常见的几种不同拓扑结构电力电子交换器中的特殊应用进行了研究,赍缨了巍举电密的选择方法。总结了几点应用挂巧。

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自美国IR公司推出丫I壬匕110集成驱动电路以来n】,这种适于姥率MOSFET、IGBT璇动妁自举式集成电路在电源变换、筠达调遵等功率驱动钡域中获得了广泛的成用。其主要原因是,该电路芯片体积小(DIPl4)、集成度商(可驱葫丽一桥臂两籍)、响成快(典型t。/tdf=120/94ns)、偏值电压高(《600V)、驱动箍力强、内设必压鼙谈,雨量萁成本||l蠹、易乎调试,并设有外部保护封锁端口。尤其是上管驱溺采用羚部鸯举毫窖上电,使褥驱凄奄漂籍数鏊较其他IC驱动大大减小。对于舆型的六管构成的三耀撬式邀变嚣,聚嚣三砖IR2t10驱饕基个橙糖,仅祷要一路10~20V电源。这样在工程上大大掳少?控裂变压器嚣援郄电源数基,瘁抵了产晶戚零和减小了体积,摄高了系统可靠性。但IR2110使用不当,尤其是宴攀电容选择不好。爨于遗成芯片损坏或不能磁常工作。为此,通过作者在几个科研顼耳中的应用体会,髓其在常见的几种不同结构电力电子变换嚣中的破甩进行了研究,奔绍了自举电容选择方法,井总结了几点威用技巧【2.3J。

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驱动信号会因欠压被片内逻辑封锁。vrl就无法正常工作。为此,簧么选用小容慧电容.以提高充电电眶;要么为Q提供快速充电通路;要么取掉VDl,直接给vj、vj魏辩一个10--20V隔离纛源。对手全桥型逆变器,由乎A、B两端谶在一起。无需经过燕载充壤,这赣澎式鑫举王俸仪莛岛选挥阕爨。彝

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IR2110典型接线图

显然每个瘸期v瓢开关一次,c2藐遥遵vb开关充电一次,因此自举电容妫的充电还与辅入信号HIN、LIN懿PWM躲捧攘攀帮豫;率宽麦蠢美,当PWM工作频率过低时,若VTl导嫌脉宽较窄,鑫举电爨8,3V饔耍滤戆;爱之无法实援塞举。毽此,要合理设置PWM开关频率和占空比调节范围.G2豹骞蓉选择考虑翔下几纛:

(1)PWM开关频率高,c2虚选小。

《2)尽量使囊攀土壤嚣路不经大阻捷负载,答则墩为c2充电提供快速充电通路。

(3)对于占象比调节较大的场舍,特别是在嵩占象眈时,VT2开渣时间较短。c2应选小。否则,在有

限时间内无法_选到自举电压。

2置R2llO工作原疆

IR2110典型接线如图1所示,其中VVD采用5~20v电源.适应1vrL戢CMOS逻辑僖号输入,ycc为10~20v功率管门板驱动电源,由于vss可与COM连接,赠Vcc与VDD可共藩弱一个典蘩催为+15V的电源。图1中.C2为自举电容,v∞经

碱、辽、夤载、V现给Q宽毫,菇确保Vr2关鬻、

vTl开通时,vTl管的栅檄靠Q上足够的储躺米驱动,扶露实瑶鸯举式驱动。善受载疆挽较大,龟经负载降压充电较慢,使得vT2荧断、vT】开通,Q

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主瓣毫压镪充电零翻鑫攀毫压8,3V戮上鞋,辕蹬

(4)毽酶遗释应鳔禽考虑PWM变亿酶各种情况,监测Ho、vj脚波形进行调试是最好的方法。

对予三程褥式递变蒋采用兰片IR2110燕孛小溅功率变换的理想选择,驱动电源仅用一路舆型15V电激,垂予三摇莲燮器每令藩期蕙寿一个上下

IR2110驱动电路设计,防栅极干扰,负压

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管导通,故上管自举电容容荔充电,三个上督自举电

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