数字电子技术基础简明教程第三版

时间:2025-02-24

数字电子技术基础简明教程第三版课件

半导体存储器

第9章概 述

半导体存储器

只读存储器(ROM) 只读存储器( ) 随机存取存储器( 随机存取存储器(RAM) 本章小结EXIT

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半导体存储器

9.1主要要求: 主要要求:

了解半导体存储器的作用、类型与特点。 了解半导体存储器的作用、类型与特点。 作用

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半导体存储器

一、半导体存储器的作用只读存储器( 只读存储器(ROM, , 即Read-Only Memory) )

存放二值数据

二、半导体存储器的类型与特点随机存取存储器( 随机存取存储器(RAM, , 即Random Access Memory) )

ROM 在工作时 只能读出 在工作时只能读出 信息而不能写入信息。 信息而不能写入信息。它用于 存放固定不变的信息, 存放固定不变的信息,断电后 其数据不会丢失。 其数据不会丢失。常用于存放 程序、常数、表格等。 程序、常数、表格等。

例如计算机中的自检程序、 例如计算机中的自检程序、初 RAM 既能读出信息又能 既能读出信息 信息又能 中的。 始化程序便是固化在 ROM 中的。 写入信息 信息。 写入 信息 。 它用于存放需经 计算机接通电源后,首先运行它, 计算机接通电源后,首先运行它, 常改变的信息, 常改变的信息 , 断电后其数 对计算机硬件系统进行自检和初始 据将丢失。 ,装入操作系统, 据将丢失 。 常用于存放临时 自检通过后, 化,自检通过后 装入操作系统, 计算机才能正常工作。 计算机才能正常工作。 性数据或中间结果。 性数据或中间结果。

例如 计算机内存就是 RAM

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半导体存储器

9.2主要要求: 主要要求:

只读存储器

的类型和结构,理解其工作原理。 了解 ROM 的类型和结构,理解其工作原理。 理解字 理解字、位、存储容量等概念。 存储容量等概念。 等概念 的使用。 了解集成 EPROM 的使用。

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半导体存储器

一、ROM 的类型及其特点按 数 据 写 入 方 式 不 同 分其存储数据在制造时确定, 其存储数据在制造时确定 , 用 掩模 ROM 户不能改变。用于批量大的产品。 户不能改变。用于批量大的产品。 其存储数据 可编程 ROM(Programmable ( 由用户写入。 由用户写入 。 但 ROM,简称 PROM) , ) 只能写一次。 只能写一次。 PROM( PROM, EPROM) 可擦除 PROM(Erasable PROM,简称 EPROM) 写入的数据可用紫外线擦除, 写入的数据可用紫外线擦除, 用户可以多次改写存储的数据。 用户可以多次改写存储的数据。 电可擦除 EPROM(Electrically ( EPROM,简称 E2PROM) , ) 写入的数据可电擦除, 写入的数据可电擦除 , 用户可以 多次改写存储的数据。使用方便。 多次改写存储的数据。使用方便。

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半导体存储器

二、ROM 的结构和工作原理由存储距阵、地

址译码器(和读出电路) 由存储距阵、地址译码器(和读出电路)组成 4 × 4 二极管 ROM 的结构和工作原理动画演示

(一) 存储矩阵由存储单元按字 (Word)和位(Bit)构成的距阵 )和位( )

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1. 存储矩阵的结构与工作原理 字线与位线的交叉 点即为存储单元 存储单元。 点即为存储单元。 每个存储单元可以 位二进制数。 存储 1 位二进制数。 交叉处的圆点 “ ” 表示存储 “1”;交叉处 ; 无圆点表示存储 “0”。 。 当某字线被选中时, 当某字线被选中时, 相应存储单元数据从位 输出。 线 D3 ~ D0 输出。 单击鼠标请看演示

1

0

1

1

W3 W2 字 W1 线 W0

D3 D2 D1 D0 位线 1 0 1 1 4 × 4 存储矩阵结构示意图

从位线输出的每组二进制代码称为一个字。 从位线输出的每组二进制代码称为一个字。一个 字中含有的存储单元数称为字长, 位数。 字中含有的存储单元数称为字长,即字长 = 位数。

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2. 存储容量及其表示 2. 存储容量及其表示 一般用“ 字长(即位数)” )”表示 一般用“字数 × 字长(即位数)”表示 指存储器中存储单元的数量 例如, 个字, 例如,一个 32 × 8 的 ROM,表示它有 32 个字, , 字长为 8 位,存储容量是 32 × 8 = 256。 。 对于大容量的 ROM 常用“ ”表示“ 常用“K”表示“1024”,即 1 K = 1024 = 210 ; ” 用“M”表示“1024 K”,即 1 M = 1024 K = 210 K = 220 。 ”表示“ ” 例如, 个字, 例如,一个 64 K × 8 的 ROM,表示它有 64 K 个字, , 字长为 8 位,存储容量是 64 K × 8 = 512 K。 。 EXIT

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3. 存储单元结构 3. 存储单元结构 (1) 固定 ROM 的存储单元结构 ) +VDD Wi Wi VCC 1 Dj 二极管 ROM Dj TTL - ROM Dj MOS - ROM Wi

单元; 接半导体管后成为储 1 单元; 若不接半导体管, 单元。 若不接半导体管,则为储 0 单元。 EXIT

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(2) PROM 的存储单元结构 ) +VDD Wi 熔丝 Dj 二极管 ROM Dj TTL - …… 此处隐藏:3163字,全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……

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