CPU光刻技术分析与展望

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摩尔律全定它靠 PCU 刻光术技析分与展 望者：作关村在线 中濮元 恺责任辑编：力成 【龚创原】 BSC i国中OL 2Z100年 05 月 1 3日 [评 论5 条0]IntelCPU 报价 nItel 专 In区elCPUt论坛

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当然实际上没有理论分析地这么简单。光刻只是在半导体上刻出晶体管器件的结构，以及晶体管之间连接的通路。要真正地实现电路，则还需要搀杂，沉积，封装等系列芯片工艺手段。但光刻是第一步，整个芯片工艺所能达到的最小尺寸是由光刻工艺决定的。

自从1947年第一个晶体管发明以来，科学技术一直在迅猛发展，为更高级、更强大、成本效益和能效更高的产品发明铺平了道路。尽管进步巨大，但是晶体管发热和电流泄露问题始终是制造更小的晶体管、让摩尔定律持久发挥效力的关键障碍。毫无疑问，过去40年一直用来制造晶体管的某些材料需要进行替代。

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世界上第一个晶体管

从第一个晶体管问世算起，半导体技术的发展已有多半个世纪了，现在它仍保持着强劲的发展态势，继续遵循Moore定律即芯片集成度18个月翻一番，每三年器件尺寸缩小0.7倍的速度发展。大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本的IC生产，正在对半导体设备带来前所未有的挑战。

集成电路在制造过程中经历了材料制备、掩膜、光刻、清洗、刻蚀、渗杂、化学机械抛光等多个工序，其中尤以光刻工艺最为关键，决定着制造工艺的先进程度。随着集成电路由微米级向钠米级发展，光刻采用的光波波长也从近紫外（NUV）区间的436nm、365nm波长进入到深紫外（DUV）区间的248nm、193nm波长。目前大部分芯片制造工艺采用了248nm和193nm光刻技术。目前对于13.5nm波长的EUV极端远紫外光刻技术研究也在提速前进。

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1997年，IBM公司开发出芯片铜互联技术

随着芯片集成度的提高，对光刻技术提出了越来越高的要求。在上世纪80年代，普遍认为光学光刻技术所能达到的极限分辨率为0.5，但是随着一些新技术的应用和发展，包括光源、成像透镜、光致抗蚀剂、分步扫描技术以及光刻分辨率增强技术（RET）的发展，使其光刻极限已推进到目前的0.1 以下。尽管有人对光学光刻的潜力充满怀疑，但其仍以顽强的生命力，不断突破所谓的极限分辨率，是目前所采用的主流光刻技术。

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Intel提供的一整块300mm晶圆与一个65nm工艺制造晶体管

光刻技术是集成电路的关键技术之一，它在整个产品制造中是重要的经济影响因子，光刻成本占据了整个制造成本的35％。光刻也是决定了集成电路按照摩尔定律发展的一个重要原因，如果没有光刻技术的进步，集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。

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● 半导体芯片生产工序简析

要了解芯片的生产工艺，我们需要先知道芯片是怎么被制造出来的。让我们分几个步骤学习芯片的生产过程。

1、硅提纯

生产芯片等芯片的材料是半导体，现阶段主要的材料是硅Si，这是一种非金属元素，从化学的角度来看，由于它处于元素周期表中金属元素区与非金属元素区的交界处，所以具有半导体的性质，适合于制造各种微小的晶体管，是目前最适宜于制造现代大规模集成电路的材料之一。

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在硅提纯的过程中，原材料硅将被熔化，并放进一个巨大的石英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种，以便硅晶体围着这颗晶种生长，直到形成一个几近完美的单晶硅。以往的硅锭的直径大都是200毫米，而芯片厂商正在增加300毫米晶圆的生产。

单晶硅硅锭

2、切割晶圆

硅锭造出来了，并被整型成一个完美的圆柱体，接下来将被切割成片状，称为晶圆。晶圆才被真正用于芯片的制造。所谓的“切割晶圆”也就是用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域都将成为一个芯片的内核(Die)。一般来说，晶圆切得越薄，相同量的硅材料能够制造的芯片成品就越多。

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ORION 单晶圆清洗系统

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