一些元器件的介绍

MOSFET 符 號 VDSS VGSS ID IS PD Tch Tstg

說

明

汲極(Drain)和源極(Source)間的最大額定電壓 閘極(Gate)和源極(Source)間的最大額定電壓 汲極最大額定電流 源極電流(Body Diode) 額定消耗功率 最大額定通道溫度 儲存溫度

Rth(ch-a) 通道與週遭環境之熱阻 閘極漏電流(汲極與源極短路時) IGSS IDSS VGS(th) RDS(on) Ciss Coss Crss td(on) td(off) tr tf Qg Qgs Qgd VSD 零偏壓汲極電流,即閘極與源極短路時的汲極電流 臨限電壓(驅使電晶體開始動作的最小 VGS 值) 導通電阻(當電晶體正常動作時,閘極與源極間的電阻值) 閘極與源極間的輸入電容量(源極接地) Ciss=Cgs+Cdg 汲極與源極間的輸出電容量(源極接地) Coss=Cds+Cdg 閘極與汲極間反相傳輸電容 Crss=Cgd Turn on 延遲時間(信號輸入後,到輸出開始有變化所需的時間) Turn off 延遲時間(輸入信號結束後,到輸出端也開始有變化所需的時 間) 上升時間(輸出信號的由最大振幅的 10%增加到 90%所需的時間) 下降時間(輸出信號的由最大振幅的 90%減少到 10%所需的時間) 閘極總電荷量(電晶體正常動作時) 閘極與源極間的電荷量(電晶體正常動作時) 閘極與汲極間的電荷量(電晶體正常動作時) 基體二極體(Body Diode)的順向電壓